光电式检测元件原理概述-控制科学与工程学院-浙江大学.pptVIP

2009年12月10日 黄平捷 huangpingjie@zju.edu.cn 2011年10月19日 2.7 光电式检测元件 原理概述、优点和局限性 光源、光学元件、光电变换器 光源→光线→光学元件→被测对象→光电变换器，△被测量→△光信号→△电信号 优点、不足 结构简单、非接触、高可靠性、高精度和反应快 2.7.1 光电效应 外光电效应—光线作用下，内部电子逸出物体表面 内光电效应—光线作用下，内部原子释放电子，仍在内部，△ρ，△E 2.7.2 光电器件的基本特性 光谱灵敏度S(λ) 相对光谱灵敏度Sr(λ) 积分灵敏度S 光照特性、光谱特性、频率特性、温度特性 2.7.3 光敏元件及特性 2.7.4 光电式检测元件的应用 2.7.1 光电效应 光电效应：光 →物质上→△电特性（电子发射、电导率、电位、电流） 2.7.2 光电器件的基本特性 2.7.3 光敏元件及特性 2.8 磁电式检测元件 磁电式检测元件 概述 电磁感应原理，将运动速度、转速等→感应电势 机械能→电信号，是一种有源传感器 也称电动式传感器、感应式传感器 2.8.1 磁电感应式检测元件 e=-NdΦ/dt，dΦ—磁场强度、磁路磁阻、线圈运动速度决定 恒磁阻式、变磁阻式 2.8.2 霍尔检测元件 霍尔效应—半导体，置于垂直磁场B中，当有电流通过时， → UH 磁感应式检测元件 恒磁阻式 动圈式 动铁式 e=NBlv 积分器—求位移；微分器—求加速度 变磁阻式 线圈和磁铁之间无相对运动，运动着的被测物体来改变磁路的磁阻dΦ→e 转速式，感应电势的f为输出量 开磁路式 f=zn 频率=齿数*转速 闭磁路式 内外齿轮的相对运动 使磁路气隙发生变化导致磁阻变化dΦ→e 下限频率f 开磁路50Hz 闭磁路30Hz 磁电感应式检测元件的误差及补偿 磁电感应式检测元件的等效电路 （1）温度误差 （2）永久磁铁不稳定误差 （3）非线性误差 磁电感应式检测元件的误差及补偿方法 2.8.2 霍尔检测元件 霍尔元件及其特性 由锗、硅、锑化铟和砷化铟等半导体材料制成 霍尔元件的几何形状为长方形。长宽比为2：1。 两组引线纯电阻特性（欧姆接触） UH=IBKH B0.5T if B交变 then UH交变 fxKHz 霍尔元件的内阻随着磁场的绝对值增加而增加 霍尔集成器件 将霍尔元件、放大器、施密特触发器、输出电路等集成 优点：紧凑、补偿、响应快、无抖动、稳定性好、功耗低 两种类型 线性集成器件 霍尔元件、放大器、差分输出电路、稳压电源 U=KIB 单端输出、双端输出 霍尔开关器件 霍尔元件、差分放大器、施密特触发器、功率放大输出、稳压源等 由于有施密特电路，使得开关特性具有切换差（回差），具有较好抗干扰性 * ZJU * 自动化专业课程《现代传感技术和过程检测系统》 浙江大学控制科学与工程学系 局限性 结构简单、精度高、响应快、非接触、性能可靠等 优点 ①烟道烟尘浊度检测（吸收和折射）②星载太阳辐射计（跟踪太阳，光电池电压差） 直接引起光量变化的非电量—光强、光照度、辐射测量、气体成分分析； 可转换成光量变化的非电量—应力、位移、振动、速度、加速度等 △物理量→△光信号 光电式 备注 应用场合 原理 序号 光电式检测元件 △ρ 光电导效应→光敏电阻 △E光生伏特效应→ 光电池、光敏二极管、光敏三极管 光电管 光电倍增管 类型 光线作用下，内部原子释放电子 → △ρ，△E 内光电效应 ①入射光频谱不变时，I∝光强（光子数↑逸出电子↑ ） ②光电子Emax=hγ-A0 ③光电发射阈值hγ≥A0 ④光电子有初始动能，光电管即使没有阳极电压也会有I 光线作用下，内部电子逸出物体表面 外光电效应 （光电发射效应） 规律 特点 光电效应 S=ψ(T), I=ψ(T) 温度特性 7 振幅随入射光通量调制f变化的关系 Sr=φ(f) I=φ(f) 频率特性 6 Sr=f(λ) 光谱特性 5 输出电流（电压）=f(输入光照度） I=f(E) S=f(E) 光照特性 4 连续光通量 S=I/Φ 积分灵敏度 3 Sr(λ)=S(λ)/ S(λm) 相对光谱灵敏度 2 单色辐射通量, λm峰值波长 S(λ)=dI/dΦ 光谱灵敏度 1 备注 定义特点 基本特性 序号 比光敏二极管灵敏度更高 2个PN结，入射光于b e → Ib，Ic=βIb 光敏三极管 线性好，频率特性好（比光电池好） 可接受光照的PN结，反向偏置工作状态，暗电流极小，有光→反向饱和电流 I，1000倍暗I 光敏二极管 光敏晶体管 ①I=f(E)开路电压曲线 短路电流曲线② Sr=f(λ) ③ Ir=φ(f) Ir=高频I/低频Imax ④I=f(T) 开路电压 短路电流与T关系 硅光电池，P型硅片，N型杂质