GaNCH体系的热力学分析研究.pdfVIP

Ga-N-C-H体系的热力学分析 李长荣 杜振民 卢琳 张维敬 日匕京科技大学材料科学与工程学院) 摘要:本文研究了以三甲荃稼(TMGa)和组(N”，)为气铆物质、以组气(Hz)为幼气进行 GaN半导体MOVPE外延生长时，NH，分解率对于。a半导体外延生长的成分空间的形响。热 力学计算幼果表明:随瀚洲，分娜辛的扭离，用于生长GaN外延层的气.固两相区遥渐变小， 娜释了实际生长过程中Will比夏求很离的原因。低NH，分们牢有助于GaN的金月有相钧气相 外延生长。 关锐词:热力学分析盆化像MOVPE 1.引育 宽莱带GAN化合钧半导休在徽电于和光电子创触共府广阅的应用翻景，近年来得到有关学 者的奋切关注。且断的研究中采用多种多样的GaN翻备技术，以研究外延层的形魏、晶态、光 电特性、络杂特性等，如化学束外延 (CBE)[1,21、气抓分子束外延(GSMBE)[3,41,等 离子抽助分子京外fI(PRMBE)[3,51,射绷徽活抓等离子休分子束外廷(RF-MBE)[6),VA 及金口有帆钧气胭外延(MOVPE)[1-111、低压全月有机钧气相外延(LP-MOVPE)(12-151, 电子圈艘共扭徽波等离子休翎幽金月有机钧化学气相沉积(ECR-MOCVD)[161等，所有这些 方法娜为我幻操寻其热由学和动力学过粗提出了研究裸皿。就Ga(CH3)rNH3-H2体系的MOVPE 外延生长来讲，应用热力学平衡计算，在目偏文狱报遨的生长条件下，不能够脚足GaN外延生 长的基本妥求，但实跳中却成功雌注长出了性的良好的GAN外延层。据文欲报道，NH，的分解 受动力学过粗独创，阳，分解率与反应.度、反应压力、总气体流速、载气性质等因索有丸川。 文傲.【，杯在很定NH，不分娜的条件下，研究MOVPE生长GN的准热力学棋互及其相圈。本 文将冠过拍由学计算杀探讨阳、的分娜率对GaN外廷生长的成分空阔引起的改变及其形响规 律。 2.计算方案 本文考虑的体系以三甲羞稼(TMGB)和奴气(NH3)为气洲物质，并以级气(晰)为或气。 会考实际GaN半导体生长今狱，热力学计算体系中考虑的范围为:Ga的总康尔分数为 X(Ga)=1r一1护，五族元簇总皿与三族元索总任之比为Vfli1=XN()IX(Ga)=O.卜1护，同时由子 使用三族气抓物质TMGM(Ga(CH3)%)，存在成汾恨侧条件:X(C-)3X(Ga)-1,沮度选择为1323K (1050c)，压力为标准大气压101325Pa(latm), 为了便于对比，首先对于两种极端情况进行了热力学分析。一种极端悄况是假定体系中氛 七 气完全不分娜 (图，一);另一种极幼怕况是体系为完全的热力学平衡(图1-f)。随着NH，分娜 率的提离，相区状态将由前一种极均信况逐步变化到后一种极端摘况(图t一至图1-0, 热力学计算及圈形绘侧使用了”hermo-Cek计算软件[.刀。为了分析红气的分解率对相区状 态的形晌，本文还建立了专门的Ga-N-C-H系热力学效拐文件，这项工作将另作报导。 一一 — 一 尸 — 一一一刁iAI:;g 下一一-— ，印 1〔日 R-0 R一0.1