模拟电子电路作业精选.docVIP

第二章 运算放大器 2.1.1 解：(1)输入电压的最小幅值Up-Un=UO÷Aom，UO=±Vom=±10V时，Up-Un=10V÷103=±10μA; (2)当输入电流i1=(Up-Un)÷r1=10μA÷109Ω=±1×10-8μA 2.1.2 解：(1)UO=Aom(Up-Un)=2×105×(25-100)×10-6V=-15V。因为此时运放已饱和，Aom=-11V，所以Vo不能小于-11V，因此不可能达到-15V。 (2)当Aom±11V Up-Un=±11V÷(2×105)=±55μV 纵轴以UO／V取±11V，横轴取(Up-Un)／μV=±55μV，即取a(55μV、11V）、b(-55μV、-11V）两点作传输特性， 线性区斜率为Av0=11V÷(55×10-6V)=2×105 第三章 半导体二极管及其基本电路 3.4.2 解：由于二极管理是理想的，所以无正向导通压降。根据二极管的单向导电性，US0时，D2、D4导通，UL=US;VS0时，D1、D3导通，UL=-US。 3.4.3 解：(1)ID=8.6mA，UO=VO=1.4V (2)UO变化范围是1.406V至1.394V 半导体三极管及放大电路基础 4.2.1 解：（a)无交流放大作用 （b)有交流放大作用 （c)无交流放大作用 （d)无交流放大作用 4.3.2 解：ICQ=βIBQ=200×20μA=4mA VCEQ=VCC-ICQRC=9V 第五章 场效应管放大电路 5.1.3 解：在预夹端点，或饱和区，漏极电流为 Id=-kP(UGS－VP)2 既有 -0.5=-0.2（ UGS－0.5）2 由此得 UGS=-1.08V 为使这-P沟道MOSFET工作饱和区，必须有 UDS≤(UGS－VP)=-1.08V－0.5V=-1.58V 因此，预夹断点处有：VGS=-1.08V， VDS=-1.58V 5.3.1 解：在输出特性中作UDS=4V的一条垂线，此垂线与各条输出特性曲线交叉点分别为a、b、c，将a、b、c各点所对应的iD及UGS值画在iD-UGS的直角坐标系中，得转移特性iD=f(UGS)|VDS=4V 第六章 模拟集成电路 6.2.1 解：（1）IC1=IC2=IO÷2=0.5mA 当 Ui1=Ui2=0时，VE=0－VBE=-0.7V VCE2=VCE1=VCC－IC1RC1－VE=(10－0.5×10+0.7)V=5.7V (2)双输出时 Avd=-βRC÷rbel=（-200×10ΚΩ）÷10.7ΚΩ≈-186.9 式中 rbel=[200+(1+200)(26÷5)]Ω=10.7ΚΩ 单输出时 Avd1=Avd÷2=-93.45 Avc1≈-RC÷(2×RO)=-10ΚΩ÷（2×25ΚΩ）=-0.2 KCMR1=|Avd1÷Avc1|=467.25 6.2.3 解：静态时，Ui1=Ui2=0,VE3=VE4= [0－(0.6+0.7)]V =‐1.3V，故 IE3=IE4=?IE =?×﹛[VE3－(-VEE)]÷RE﹜ =?×[(-1.3+6)÷4.7×103]A=0.5mA IE1=IE2=IE3÷β3=0.05mA÷100=0.005mA rbe3=rbe4=200Ω+(1+β3)(VT÷IE3) =[200+101×(26÷0.5)]Ω≈5.45ΚΩ rbe1=rbe2=200Ω+(1+β1)(VT÷IE1) =[200+31×(26÷0.005)]Ω≈161.4ΚΩ 由T1、T2的集成电极单端输出时得差模电压增益 Avd1={-