改进集成电路制造工艺来延长某种DRAM产品刷新周期的方法研究.pdfVIP

目录 摘；要………………………………………………………···………………………… 1 Abstract··························································································2 第一章．引言…………………………………………………………………………3 §1．1课题背景一集成电路产业概述…………………………………………3 §1．2动态随机存取存储器(DRAM)概述………………………………………5 §1．3本课题的意义和目标……………………………………………………7 第二章DRAM制造工艺简介…………………………………………………………9 §2．1 DRAM制造流程回顾……………………………………………………9 §2．2电容简介…………………………………………………………………11 §2．3存储单元内器件简介……………………………………………………13 STI CMP………………………………………14 §2．4DirectCMP和传统STI 第三章改进DRAM刷新周期的工艺研究……………………………………………17 17 §3．1 DRAM产品刷新周期的初步探讨……………………………………… §3．1．1什么是刷新周期……………………………………………………17 §3．1．2本课题所研究产品的刷新周期现状和目标………………………17 §3．1．3对于刷新时间的分析………………………………………………18 §3．2实现延长刷新周期的研究方向和方案…………………………………19 §3．2．1沟道电场与漏电对于刷新周期影响的研究……………………19 19 §3．2．1．1沟道掺杂浓度与刷新时间关系的假想…………………… §3．2．1．2存储单元内轻掺杂(CLD)注入的理论依据………………20 §3．2．1．3存储单元内轻掺杂(CLD)注入的引入……………………22 §3．2．1．4存储单元内轻掺杂(CLD)注入的可行性…………………24 §3．2．1．5存储单元内轻掺杂(CLD)注入实验实施与结果…………31 §3．2．1．6存储单元内轻掺杂(CLD)注入的工艺集成难点…………32 §3．2．2电容制作工艺对于刷新周期影响的研究…………………………33 §3．2．2．1电容值与刷新周期关系的推论……………………………33 §3．2．2．2电容制作工艺工序分析……………………………………33 §3．2．2．3电容制作优化工艺条件的实施……………………………35 §3．2．2．4电容制作优化结果…………………………………………36 §3．2．2．5对于优化结果的小结与工艺集成上的注意点……………40 §3．2．3源漏电场对于刷新周期的影响……………………………………41 §3．2．3．1源漏与衬底间的电场与刷新周期关系的理论推导………41 §3．2．3．2存储单元内源漏注入和通孔注入的实验…………………42 §3．2．3．3源漏电场与刷新周期关系的结论…………………………45 §3．2．4其他制作工艺对于刷新周期影响的研究…………………………46 §3．2．4．1STI CMP工艺对于刷新周期的影响………………………46 §3．2．4．2栅极形成工艺对于刷新周期的影响………………………47 §3．2．4．3电容上极板对于刷新周期的影响…………………………47 第四章结论与展望……