改进型Ge浓缩技术制备SGOI及其机理研讨.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 改进型Ge浓缩技术制备SGOI 及其机理研究 张苗1， 狄增峰1，刘卫丽1，骆苏华1，宋志棠1， 朱剑豪2，林成鲁1 1中国科学院上海微系统与信息技术研究所，上海，200050 2香港城市大学物理与材料学系等离子实验室， 香港 应用前景。本文对原有Ge浓缩技术进行改进，将Si／SiGe／Si三明治结构通过氧化退火， 成功制备出了Ge含量高达18％的SGOI材料。实验结果表明：项层的Si可以有效抑制SiGe 层氧化初期时Ge元素的损失，退火过程有助于Ge元素在SiGe层中的均匀分布，同时也 减轻了Ge元素在氧化层下的聚集。在高温条件(1150。C)制备的SGOI材料应力完全释放， 几乎没有引入位错。 一、引言 随着器件尺寸进入深亚微米领域，应变si以其较高的电子和空穴迁移率为新型高 性能器件开发提供了广阔的空间1’2。利用strained 制备的MOSFET结合了应变si技术和SOI技术，所以一直被认为具有希望的高速器件结构。 SiGe材料由于具有较大的晶格常数(相对Si)，而且与传统半导体工艺相容，所以被认为 Si和S01双方面的优势，在实现高性能MODFET和MOSFET器件方面引起了广泛的关注3’4。 等技术来制备。但这三种主要方法制备的SGOI材料都必须一层厚的递变Ge组分的应力释 放层，很难满足当前最小特征长度缩小的要求。Yin。等人在SGOI制备过程中引入硼磷硅 玻璃(BPSG)作为“容忍衬底”来释放SiGe层中的应力，但该技术很难与当今主流的半 导体工艺兼容。 最近，Tezuka“7等人提出了一种利用氧化SOI的SiGe层进行Ge浓缩， 从而得到高质量SGOI技术，该技术可以同时控制SiGe层的厚度和Ge的浓度。但此技术在 控制Ge损失方法存在一些缺陷：1、尽管SiO。的吉布斯生成自由能比GeO。低8，导致在SiGe 氧化过程中Si更易被氧化。但在氧化过程初期，氧气的量大大超过Si，根据扩散反应模 过程初期，在完整SiOz层形成之前，Ge易于形成挥发性的GeO而损失。 本文对原先的Ge浓缩工艺进行改进，在SOI上外延一层SiGe，再在其上外延Si 盖帽层，最后对三明治结构Si／SiGe／Si进行氧化，如图1所示。额外的Si盖帽层保证了 在氧化过程初期Si的量大大超过氧气，而且可以在SiGe氧化之前形成完整的SiO。层，避 免了Ge通过上述两种途径损失。 二、实验 30nm) 实验中首先采用超高真空化学气相沉积(UHVCVD)方法在超薄SOI(顶层Si 衬底上550。C下，以SiHt和GeHa作为Si和Ge源，生长lOOnm Si¨。Ge。。。层，然后继续生 长20nm的纯si盖帽层，即得到20nmSi／lOOnmSiGe／30nmSi结构。该结构在氧气氛中， 1150。C，氧化1小时。在氧化过程中，由于si更易于氧气结合生成SiO。，所以Ge原子将 389— 2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 不会被氧化，而是被生成的Sioz挤压出来向SOI的顶层Si中扩散，在SOI的埋层氧化物 釉，|薹 111)氧化 《c)退火 《d)I-IF富性 图1，改进型Ge浓缩技术制备SGOI材料的流程示意图 上方形成连续的SiGe层。Ge原子在顶部Sioz和埋层Si0。之间聚集，随着氧化过程的进行， 氧化层厚度减小，同是SiGe层中Ge的浓度大大提高。氧化结束后，区别于传统Ge浓缩 工艺，该样品在Nz气氛中，900。C，高温退火3小时，使Ge元素在整个SiGe层中分布均 匀。 三、结果分析与讨论 我们通过检测顶层SiOz与SiGe之间界面处Si。。和Gezp3／。的光电子能谱(XPS)来确 定Ge元素是否通过生成GeOz的形式而损失，如图2所示