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研究兴趣，成
类稀磁半导体
。因此，本论
材料。主要内
状况、ZnO基
同时，详细介
定性及振动特
入条件下氢的
存在位置及键合情况，并获得了氢相关复合键的振动频率以供实验进一步研究。同
时发现了体系结构稳定性及振动特性随离子掺杂尺寸变化的规律。计算中考虑了氢
轻质量引起的非谐效应对振动频率的贡献，使计算结果更加精确。
接着，研究了Co掺杂ZnO材料中氢原子的存在方式，以及体系电子结构和振
动性质。重点研究了氢的几何存在位型和成键情况，研究发现氢会以+1价施主形式
和O紧密成键。考虑了非谐效应并得到了0．H复合体的局域振动模式，获得了氢在
稳定位型下的振动频率。本文计算结果为实验探索氢的存在及对P型ZnO材料的制
备提供了理论指导。
最后，采用第一性原理计算方法结合MonteCarlo模拟方法研究了掺氢对Co掺
杂ZnO稀磁半导体材料电子结构特性和磁学特性的影响。结果显示，氢会促使Co
掺杂ZnO体系电子转移变化并诱导体系磁性耦合转变，系统居里转变温度将达到室
温以上。
关键词：稀磁半导体，掺氢，电子结构稳定性，振动频率，磁学特性，第一性原理
L
andZnO-based
diluted semiconductor
magnetic of
materials．Moreover,the
presence
hasa onmaterial
hydrogen this
significantimpact dissertation
properties．Therefore，in
basedon calculationsthe A1NandZnO．based
first-principles hydrogen—doped diluted
semiconductormaterialshavebeen
magnetic studied．Themaincontentsareas
follows：
Firstof research were the
all，the background of
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