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电子技术基础第一学期试题库(1~6章)
一、填空题:(每空1分)
1、根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为 , 和 三类。
答:导体、半导体、绝缘体。
2、半导体具有 特性, 特性和 特性。
答:热敏、光敏、掺杂。
3、PN结具有 特性,即加正向电压时 ,加反向电压时 。
答:单向导电、导通、截止。
4、硅二极管导通时的正向管压降约 v,锗二极管导通时的管压降约 v。
答: 0.7V、0.3V。
(中)5、使用二极管时,应考虑的主要参数是 和 。
答:最大整流电流、最高反向工作电压。
5、在相同的反向电压作用下,硅二极管的反向饱和电流常 锗二极管的反向饱和
电流,所以硅二极管的热稳定性 。
答:小于、较好。
6、发光二极管将 信号转换成 信号;光电二极管将 信号转
换成 信号。
答:电、光、光、电。
7、三极管有三个电极,即 极、 极和 极。
答:集电极、基极、发射极。
8、半导体三极管有 型和 型。
答: NPN、PNP。
(中)9、三极管基极电流IB的微小变化,将会引起集电极电流IC的较大变化,这说明三极管具有 作用。
答:电流放大。
10、硅三极管发射结的死区电压约 v,锗三极管的死区电压约 v。晶体三极管处在正常放大状态时,硅管的导通电压约为 v,锗管约为 v。
答: 0 .5、0.2、0.7、0.3。
11、三极管工作在放大状态时,其集电极电流与基极电流的关系是 。
答: IC=βIB。
(中)25、三极管的穿透电流ICEO随温度的升高而 ,硅三极管的穿透电流比锗三极管的 。
答:增加、小。
12、三极管的极限参数分别是 , ,和 。
答:集电极最大允许电流、集-射间的反向击穿电压、集电极最大允许耗散功率。
(中)13、工作在放大状态的三极管可作为 器件;工作在截止和饱和状态的三极管
可作为 器件。
答:放大、开关。
14、放大电路按三极管连接方式可分为 ,
和 。
答:共基极放大器、共集电极放大器、共射极放大器。
15、放大电路设置静态工作点的目的是 。
答:使放大器能不失真地放大交流信号。
16、放大器中晶体三极管的静态工作点是指 , 和 。
答: IBQ、ICQ、UCEQ。
17、放大电路工作在动态时,都是由 分量和 分量两部分组成。
答:直流、交流。
18、在共射极放大电路中,输出电压uo和输入电压ui相位 。
答:相反。
(中)35、画放大电路的直流通路时,把 看成开路;画放大电路的交流通路时,把
和 看成短路。
答:电容、电容、直流电源。
19、利用 通路可估算放大器的静态工作点;利用 通路的等效电路可以近似
估算放大器的输入电阻,输出电阻和电压放大倍数。
答:直流、交流。
20、对于一个放大电路来说,一般希望其输入电阻 些,以减轻信号源的负担,输出
电阻 些,以增大带负载的能力。
答:大、小。
21、放大电路的图解分析法,就是利用三极管的 和 ,通过 方法来分
析放大器的工作情况。
答:输入特性、输出特性、作图。
(中)22、放大电路中,静态工作点设置得太高,会导致 失真;静态工作点设置太低时,会导致 失真。
答:饱和、截止。
23、放大电路产生非线性失真的根本原因是 。
答:三极管特性的非线性。
24、影响放大电路静态工作点稳定的主要原因是 。
答:温度。
25、多级放大电路常用的级间耦合方式有
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