华东理工大学微机原理历年真题第六章.pptVIP

第六章 存储器及其接口方法 存储器系统是计算机的重要组成部分。 (1)内存：也称主存。 CPU可直接对它进行存入和取出信息， 存放CPU当前正在处理的程序和数据， 它的存取速度尽可能与CPU匹配。 (2)外存：属外设，也称辅助存储器。 用来存储CPU当前不急用的信息， 一旦需用，则通过接口电路送至内存， 速度低些，容量大。 第一节 存储器分类和存储原理 一、存储器分类 1.按功能分类 (1)主存：一般为半导体存储器 100ns～2μs (2)辅存：磁表面存储器，光盘存储器，容 量大，速度慢(μs～ms级间) 2.按存储介质 (1)半导体存储器 (2)磁介质存储器 (3)光盘存储器 3.按存取方式 (1)随机存取存储器RAM (Random Access Memory) 双极型，MOS型 (2)只读存储器ROM (Read Only Memory) 掩膜ROM，PROM，EPROM，EEPROM (3)顺序存取存储器SAM (Sequential Access Memory) 信息一般以文件或数据块形式按顺序存放。 (4)直接存取存储器DAM (Direct Access Memory) 介于随机和顺序存放之间，如磁盘。 二、主要指标 1.存储容量 字节(B),千字节(KB),兆字节(MB)，千兆字节(GB) 字长为16位，64K容量，写作64K×16位。 2.存取时间 读取时间TA：收到读命令到信息读出所需时间。 存储周期TM：CPU两次访问存储器的最小间隔 时间。 三、半导体存储器的组成 1.存储体 存储信息由许多存储元件组成，排列成矩阵。如字长8位，存一个字节需8个存储元件。 容量为1K×8位，则存储元件 1024×8=8192 (1)存储地址： 对每一个存储单元的编号。 数据线 地址线 (2)存储地址线数n与存储单元数N：2n=N 例：1K×8位 地址线为10根，即： 210=1K 2.地址选择电路 地址码寄存器，地址译码器 作用是对地址译码，选中存储体中的某一存储单元。 3.读写和控制电路 读/写放大器，数据寄存器，控制电路。 (1)读RD，写WR，控制数据信息流向。 (2)CS片选，对存储器芯片进行选择， CS=0，选中该芯片。 四、RAM 说明： (1)存储电路为双稳态触发器电路，两个不同的稳态分别表示0和1。 行X，列Y为高，T5～T8导通，该存储单元选中，可读写。 读：读控制高，写控制低，门1，2关闭，3打开，触发器状态(A点电平)通过T6，T8，三态门3送数据线。 写：写线高，读线低，门1，2打开，3关闭， 写入1：门2输出1，经T8，T6，加至T1栅极，门 1输出低电平经T7，T5加址栅极，使T1导通，T2截止，触发器为1状态。写入0：数据线低，结果T1截止，T2导通。 (2)信息可以写入，可以读出。 (3) 电源关掉后，所有信息消失。 (4)存储容量小，功耗较大，集成度不高。 说明： (1)以MOS管栅极电容是否充有电荷来记忆0和1。 写入：写选择=1，T1导通，信息进入写数据线，对电容C充电，写后，T1截止，电荷(信息)保存在C上。 读出：1)先在T4栅极预充电脉冲，T4导通，Cr充电，读 数据线=1。 2)读选择=1，T3导通。若C有电荷(信息1)，T2导 通，Cr 放电，读数据线=0，经反相可得到原存 信息。若C无电荷，T2截止，Cr不放电，读数据 线=1 (2)电容的漏电，信息要消失,2ms内必须刷新一次。 (3) 结构简单，存储容量大，功耗较低。 动态RAM刷新： 动态ROM的地址分行地址和列地址。 例如64K容量： (1)16根地址线，分为8根行地址线，8根列地址线。 (2)行地