高分子辅助溶胶-凝胶法制备BiFe1-xCoxO3薄膜及其性能.pdfVIP

第39卷 第9期 稀有金属材料与工程 、，01．39．NO．9 2010年 9月 RAREM【E1AL～U(n三RIAISANDENGrNEERrNG 2010 Sep忙mbcr 薄膜及其性能 陈吉利1，赵立峰1，许加阳1，黄正银1，黄宁湘1，赵勇1，2 (1．西南交通大学。四川成都610031) ofNewsouth 2052 (2．unive船ny waIes，SydlleyNSw’Australia) 摘 究表明，两薄膜均为纯相的菱方六面体状扭曲的钙钛矿结构。SEM测观表明，Co替代有利于改善BFO薄膜的致密性 和平整度。铁电测试结果表明，Co取代薄膜的铁电性有明显增强，同时饱和极化电场强度增加，漏电流减小。磁性测 试表明，BFCO薄膜磁性明显增强。 关键词：BiFe03薄膜；Co替代；铁电性；磁性 中图法分类号：TM22；TM27文献标识码：A 文章编号：l002．185X(2010)09．1668．04 多铁薄膜由于同时具有铁电性和铁磁性，可广泛 1 实验 应用于信息储存和自旋电子器件【l】，从而引起人们的 极大兴趣。其中，BiFe03(BFO)的尼尔温度和居里温采用无水高分子辅助化学溶液沉积法，高分子添 度分别为370和850℃【2】，是目前最有可能在室温条加剂为聚丙烯酸(队A)。以丙烯酸单体为原料，在环 件下得到应用的多铁材料。然而，BFO薄膜漏电流较 己烷中合成得到胶体，即为初级胶体(未添加金属盐 大的特性限制其在实际中的应用。这一较大的漏电流 主要源于BFO材料制备过程中产生的氧空位，以及由 占初级胶体15％)为溶剂，按比例称取适量的 此导致部分Fe3+转变为Fe2+造成的【31。为了解决这个 问题，人们进行了大量探索。目前，能够有效减小漏 同时溶解在初级胶体中配成O．2mol／L的溶液，将溶液 电流的方法主要有2种：一是在BF0的彳位、占位的在室温下回流搅拌24h，得到最终胶体(含金属盐可 掺杂或混合共掺杂以达到调整晶格及降低氧空位的浓 直接用于涂敷的胶体)，以上操作均在空气中进行。使 度，从而达到改善铁电性能的目的，如在Bi位掺杂 La和Nd【4‘‘7】等元素，在Fe位置换施主原子如Mn和水，在其溶解于15％P：从初级胶体之前，可将其置于 Nb【8，9】等元素，均可有效地减少漏电流并使铁电性及磁 红外干燥箱内进行脱水处理(红外干燥箱内的温度约 性有所提高；此外，采用不同的制备工艺也会得到明显 不同的铁电性能，如目前采用脉冲激光沉积(PLD)【10’¨】， 金属有机物化学气相沉积(MOCVD)【12．”】和化学溶制备而成。制备的前驱体溶液在空气中露置1个月以 液沉积(CSD)【14】等方法制备的BiFe03薄膜，其剩余上无沉淀出现，可以多次重复使用。 极化强度均有较大差别。 旋涂前置于丙酮中被超声震荡反复清洗30 本研究采用高分子辅助溶胶．凝胶法在ITo儋l嬲s min。制备 BFO和BFCO时，每层薄膜以6000r／min匀胶30s， 衬底上制备BiFe03和BiFeo．9Coo．103(BFCO)薄膜。通 过以Co对Fe位的部分替代来提高剩余极化强度，减然后在氧气氛下400℃预退火30min，接着在500℃ 小薄膜的漏电流，同时提高薄膜的饱和磁化强度。 退火30min，重复上述工艺，共涂4层。为进行电性 收稿日期：2009．09．10 ch蛐jiIi88@ha缸Ilail．com；通讯作者：赵 第9期 陈吉利