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2018-01-21 发布于贵州
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电子电路与系统基础第十二周习题课一、期中考试讲解二、第九周数字系统中的状态记忆单元作业讲解（部分）李国林闻和清华大学电子工程系一、期中考试情况 • 258人参加考试 – 卷面平均分77.5分 • 60 43人 16.7% • 60-70 27人 10.5% • 70-80 47人 18.2% 72.8% • 80-90 78人 30.2% 54.6% • 90 63人 24.4% 李国林电子电路与系统基础清华大学电子工程系 2011年秋季学期 2 二、作业讲解 • 寄生电容效应作业讲解（部分）李国林电子电路与系统基础清华大学电子工程系 2012年秋季学期 3 作业02 数字非门的上升时间估算 • 课件只计算了数字非门通过nMOS放电过程中，下降沿时间Tfall和下降延时PHL • 用同样的分析过程，分析数字非门通过 pMOS充电过程，上升沿时间Trise和上升延时 C 300fF V 3.3V PLH DD – 近似估算公式 W 2 k  C 300A V p p ox L – Matlab编程数值法求得精确的时间 • 比较近似公式和精确值之间差别多大 – 作业04要求的内容，作业04取消 V V 3.3V H DD V 0.7V TH ,p V GND 0V L 李国林电子电路与系统基础清华大学电子工程系 2011年秋季学期 4 C 300fF V 3.3V V V 3.3V V GND 0V DD H DD L k  C W 300A V2 V 0.7V p p ox TH ,p L