CMOS工艺中的无源器件——IC设计课件精选.pdfVIP

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2018-01-22 发布于贵州
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CMOS工艺中的无源器件——IC设计课件精选

CMOS工艺中的无源器件雷鑑铭华中科技大学电子系 12-14-2004 概要 CMOS工艺中的电阻 CMOS工艺中的电容 2005-10-19 Lei Jianming, EST, HUST 2 CMOS工艺中常用电阻类型有源区扩散电阻 + P 扩散电阻 + N 扩散电阻多晶Poly 电阻普通Poly 电阻高阻Poly 电阻 N-Well 电阻 2005-10-19 Lei Jianming, EST, HUST 3 CMOS工艺中常用电阻版图 + P 扩散电阻 2005-10-19 Lei Jianming, EST, HUST 4 CMOS工艺中常用电阻版图 + N 扩散电阻 2005-10-19 Lei Jianming, EST, HUST 5 CMOS工艺中常用电阻版图 Poly 电阻 2005-10-19 Lei Jianming, EST, HUST 6 CMOS工艺中常用电阻版图 N-WELL 电阻 2005-10-19 Lei Jianming, EST, HUST 7 0.8um CMOS工艺中电阻参数比较电阻类型方块值匹配精温度系数电压系数度 + o P 扩散电阻 80-150 Ω/Ɔ 0.4% 1500ppm/ C 200ppm/V + o N 扩散电阻 50-80 Ω/Ɔ 0.4% 1500ppm/ C 200ppm/V o Poly 电阻 20-40 Ω/Ɔ 0.4% 1500ppm/ C 100ppm/V 1000-1500 Ω/Ɔ o V 高阻Poly 电阻 0.05% 50ppm / C 50ppm / 1000-2000 Ω/Ɔ o V N 阱电阻 —— 8000ppm / C 10K ppm / 2005-10-19 Lei Jianming, EST, HUST 8 概要 CMOS工艺中的电阻 CMOS工艺中的电容 2005-10-19 Lei Jianming, EST, HUST 9 CMOS工艺中常用电容类型 MOS 电容（有源区-POLY 电容） POLY-POLY 电