原创力文档- 1、本文档共10页，可阅读全部内容。
- 2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
查看更多
CS6N60 A8H精选
Huajing Discrete Devices R
Silicon N-Channel Power MOSFET
CS6N60 A8H
General Description VDSS 600 V
CS6N60 A8H, the silicon N-channel Enhanced ID 6 A
VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology P (T =25 ℃) 85 W
D C
which reduce the conduction loss, improve switching RDS(ON)Typ 1.4
performance and enhance the avalanche energy. The transistor
can be used in various power switching circuit for system
miniaturization and higher efficiency. The package form is
TO-220AB, which accords with the RoHS standard.
Features
l Fast Switching
l Low ON Resistance(Rdson≤1.7 )
l Low Gate Charge (Typical Data: 19.5nC)
lLow Reverse transfer capacitances(Typical: 7.5pF)
l100% Single Pulse avalanche energy Test
Applications
Power switch circuit of adaptor and charger.
Absolute （Tc= 25 ℃ unless otherwise specified ）：
Symbol Parameter Rating Units
VDSS Drain-to-Source Voltage 600 V
Continuous Drain Current 6 A
ID
Continuous Drain Current TC = 100 °C 3.6 A
a1
IDM Pulsed Drain Current
文档评论（0）