MW7IC2040GNR1;MW7IC2040NBR1;MW7IC2040NR1;MW7IC2240GNR1;MW7IC2240NBR1;中文规格书,Datasheet资料精选.pdfVIP
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MW7IC2040GNR1;MW7IC2040NBR1;MW7IC2040NR1;MW7IC2240GNR1;MW7IC2240NBR1;中文规格书,Datasheet资料精选
Freescale Semiconductor Document Number: MW7IC2040N
Technical Data Rev. 1, 11/2009
RF LDMOS Wideband Integrated
Power Amplifiers MW7IC2040NR1
MW7IC2040GNR1
The MW7IC2040N wideband integrated circuit is designed with on-chip
matching that makes it usable from 1805 to 1990 MHz. This multi-stage MW7IC2040NBR1
structure is rated for 24 to 32 Volt operation and covers all typical cellular base
station modulation formats.
• Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ1 =
130 mA, IDQ2 = 330 mA, Pout = 4 Watts Avg., f = 1932.5, Channel
Bandwidth = 3.84 MHz, Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability 1930-1990 MHz, 1805-1880 MHz,
on CCDF. 4 W AVG., 28 V
Power Gain ó 32 dB SINGLE W-CDMA, GSM EDGE, GSM
Power Added Efficiency ó 17.5% RF LDMOS WIDEBAND
ACPR @ 5 MHz Offset ó - 50 dBc in 3.84 MHz Bandwidth INTEGRATED POWER AMPLIFIERS
• Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 32 Vdc, 1960 MHz, 50 Watts CW
Output Power (3 dB Input Overdrive from Rated Pout)
• Stable into a 3:1 VSWR. All Spurs Below -60 dBc @ 100 mW to 40 Watts
CW Pout.
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