晶体管的高频大信号模型.pdfVIP

2009年第2期 大 众 科 技 No．2，2009 (总第 114期 ) DAZHoNGKEJ (CumulativelyNo．114) 晶体管 的高频大信号模型 王 啸 (电子科技大学电子工程学院，四川 成都 610000) 【摘 要】Ebers—MoU模型提供了用PN结方程的方式来建立三极管模型的一种方法，为推导三极管的高频大信号模型提 供 了一种理论基础。主要是考虑 PN结本身的非线性效应和结电容、基 区体电阻等的影响，寻求一种简单有效的解决办法。利 用牛顿迭代法来解决关于直流工作点的超越方程；利用欧拉算法来解决关于输出信号一阶非线性非齐次微分方程 问题 ，并得到 一 系列的数值解。最后，举了一些例子来说明这些迭代算法是怎么样进行的。 【关键词】EM模型；牛顿迭代法；欧拉算法；超越方程 【中图分类号】TN710 【文献标识码】A 【文章编号】1008—1151(2009)02—0055—02 (一)简介 在 (1)式中的第二项比第一项要小很多，可以忽略不计。并 在早期，Ebers和 Mol1提出了一组方程来表示晶体管中 且把第一项中的指数项分成二个部分，于是有： 的电压电流关系。为了看起来简单，这组方程被写成了矩阵 的形式。后来人们用这组方程建立了一些晶体管模型。Robert ， ： ．P e 1— F (3) W．Dutton教授在此基础上建立了一个为计算机电路仿真服务 的晶体管雪崩模型。胡正明教授则建立了一个关于 SPICE的 为直流偏置， 为输入信号。对于e ，用泰勒展开， MOSFET准静态模型。其它科学家在晶体管建模方面也都各有 得： 成就。 毒嚣e[1十+1()+虿1vi‘)3+(4) 在本文中，主要讨论晶体管的高频大信号模型。考虑高 频效应和大信号的非线性效应等，基区体电阻和极问的电容 只取第一阶就是通常的小信号模型了。如果信号幅值较 效应都会被考虑。从 EM的 PN结方程出发，建立 电路方程， 大，后面各阶都要考虑，就会有非线性效应，问题也会变得 用一些数值方法和解析方法来解决其中的非线性关系。 复杂，下面展开讨论。 (二)基本模型 (三)高频大信号模型 根据文献，E—M方程可以写成： 晶体管的接入电路如图1所示，为共射极接法。 ，k rk 』 -IEo (e 一 1) aRIco ’ (P百 一¨ (1) 是基极与发射极之间的电压， 是基极与集电极之间 的电压， 是热电压 ，在常温下近似为0．026F， 是发射极 电流。其它参数定义如下： = 当集电极电流为0时的发射极饱和电流， 图1 晶体管接入 电路图。晶体管为共发射极接法 CO=当发射极电流为0时的集电极饱和电流， 当输入的是高频信号的时候，需要考虑结电容效应。有 = 当集电极作集电极，发射极作发射极时的晶体管电流 二个结电容要考虑：一个是 ，另一个是Cb 在晶体管手册