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集成电路芯片封装讲座（16-1)
封装过程缺陷分析
封装过程缺陷概述
封装失效是指微电子器件性能的急剧或缓慢变化会导致器件不能正常工作的现象，失效在产品结构上的具体体现称为封装缺陷。
失效的表现形式称为失效模式，元器件失效多产生在产品实际使用过程中：裸芯片封装过程中产生的缺陷属于使用前缺陷，发生在组装过程的产品缺陷属于使用期缺陷。
封装缺陷-金线偏移
芯片制造过程中，封装中裸芯片键合是不可或缺的工艺步骤，包括WB、TAB和FCB三类，金线偏移是最常出现的封装结构缺陷。
缺陷形式：
金线发生偏移导致相邻金线相互接触-短路
机械作用力导致金线被冲断-断路
封装缺陷-金线偏移
金线偏移的产生原因
【注塑流动产生的拖拽力】：塑料封装过程中，注塑熔融材料粘度过大、流速过快，金线偏移量随之增加。
【导线框架变形】：上下模型腔中熔融材料流动不平衡，导线架会因压力差承受弯矩而导致弯曲变形（Bending）。
【气泡移动】：熔融材料填充阶段有空气进入模具型腔，气泡在移动过程中碰撞金线产生偏移。
【填充物碰撞】：颗粒较大的填充物碰撞纤细的金线也会引起金线的偏移：塑料材料的充分混合熔融。
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