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2.1.3 半导体的电导率和电阻率
2.1.4 迁移率
迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。
在不同的半导体材料中,电子和空穴两种载流子的迁移率是不同的,通常电子迁移率要高于空穴迁移率。
迁移率的大小与掺杂浓度有关,掺杂浓度不同,迁移率也不同。
低掺杂浓度;
高掺杂浓度。
载流子的迁移率与温度有关。
低掺杂浓度;
高掺杂浓度。
电子和空穴有效质量的大小是由半导体材料的性质决定的,不同半导体材料的电子和空穴的有效质量各不相同;
对于同一材料,电子的有效质量通常要小于空穴的有效质量。
这是不同材料的载流子迁移率不同,同一材料中电子和空穴迁移率也不相同的重要原因。
载流子散射的概念
载流子在半导体中运动时,会不断地与晶格、杂质、缺陷等发生碰撞,无规则地改变其热运动的方向,这种碰撞现象称为散射。
半导体的主要散射机构
半导体中载流子在运动过程中遭到散射的根本原因:
是半导体内部除了周期性势场外,还存在一个附加势场ΔV,使周期性势场被破坏。
由于附加势场ΔV的作用,就会使能带中的电子发生在不同k状态间的跃迁。
下面简单介绍一下产生附加电场的主要原因:
(1)晶格振动的散射
(2)电离杂质的散射
(1)晶格振动散射
由于晶格振动引起的载流子散射称为晶格散射。
晶格振动随着温度的升高而加强,当温度升高时,对载流子的晶格散射也将加强。
(2)电离杂质的散射
迁移率和掺杂浓度有关(以300K为例);
迁移率和温度有关:低掺杂;较高掺杂;高掺杂。
强电场情况:
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