第1章常用半导体器件PPT.ppt

模拟电子技术基础;第一章 常用半导体器件;1.1.1 本征半导体 1.1.2 杂质半导体 1.1.3 PN结;1.1.1 本征半导体;第一章;1.1.2 杂质半导体;一、N型半导体;第一章;1.1.3 PN结;一、PN结的形成;Uho;二、PN结的单向导电性;第一章;三、ＰＮ结的电流方程;四、PN结的伏安特性;五、PN结的电容效应;PN结加正向电压时，主要体现为多子的扩散运动，在扩散区内，电荷的积累和释放过程与电容器充放电过程相同，这种电容效应称为扩散电容Cd;第一章;1.2.1 半导体二极管的几种常见结构;在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管;第一章;第一章;二极管的特性对温度很敏感，温度升高，正向特性曲线向左移，反向特性曲线向下移。其规律是：在室温附近，在同一电流下，温度每升高1℃，正向电压减小2～2.5mV；温度每升高10℃，反向电流增大约1倍。;1.2.3 二极管的主要参数;1.2.4 二极管的等效电路;第一章;第一章;1.2.5 稳压二极管;第一章;例1.2.2;1.2.6 其它类型二极管;例1.2.3;第一章;第一章;第一章;半导体二极管图片;半导体二极管图片;半导体二极管图片;第一章;(a)NPN型结构;1.3.2 晶体管的电流放大作用;1.3.2 晶体管的电流放大作用;1.3.2 晶体管的电流放大作用;1.3.2 晶体管的电流放大作用;1.3.3 晶体管的共射特性曲线;1. UCE=0V时，发射极与集电极短路，发射结与集电结均正偏，实际上是两个二极管并联的正向特性曲线。;输出特性曲线描述了在基极电流IB一定的情况下,集电极极电流iC与管压降uCE之间的函数关系,即:;第一章;第一章;2、共基交流电流放大系数?;第一章;1.3.5 温度对晶体管特性及参数的影响;1.3.6 光电三极管;光电三极管与普通三极管的输出特性曲线相类似,只是将参数变量基极电流IB用入射光照度E取代,如图所示. 使用光电三极管时,也应该特别注意其反向击穿电压,最高工作电压,最大集电极功耗等极限参数.;第一章;概 述;1.4.1 结型场效应管;? 结型场效应管（JFET)结构;一、结型场效应管（JFET)的工作原理; 1.当uDS=0时, uGS对导电沟道的控制作用 当uGS=0时，沟道较宽。 当uGS＜0时，PN结反偏，PN结加宽，漏源间的沟道将变窄。 当uGS继续向负方向增加，沟道继续变窄， 当到某一数值时沟道消失，此时所对应的栅源电压uGS称为夹断电压UGS (off)。 ; 2.当uGS为UGS (off) ～0某一固定值时, uDS对iD的影响 当uDS=0时，虽存在导电沟道,但电压为0,多子不会移动iD=0。 当uDS＞0时，则有iD，沟道各点与栅极间电压不相等,耗尽层宽度也不同。而 iD随uDS增大而增大。当uDS增加使uGD=UGS (off)。漏极一边出现夹断区——预夹断。 当 uDS 继续增大，使uGD＜UGS (off)，夹断区加长， iD减小，另一方面uDS增大使iD增大，两种变化相抵消所以iD基本不变。; 3.当uGD＜UGS (off)时, uGS对iD的控制作用 当uGD＝uGS － uDS＜UGS (off)时，即uDS＞uGS －UGS (off)的情况下, uDS为常量，对应确定的uGS ，就有确定的iD。因此可以通过改变uGS来控制iD的大小。 低频跨导gm ＝△ iD ／△ uGS用来描述栅源电压对漏极电流的控制作用的参数。 ;第一章;第一章;第一章;UGS（off）;结型场效应管;1.4.2 绝缘栅型场效应管;第一章;第一章;第一章;第一章;第一章;第一章;二、N沟道耗尽型MOS场效应管结构;第一章;第一章;1.4.3 场效应管的主要参数;1. 低频跨导gm 低频跨导反映了栅源电压对漏极电流的控制作用;三、极限参数;1.4.4 场效应管与晶体管的比较;第一??;1.5 单结晶体管和晶闸管;1.5.1单结晶体管的结构和等效电路;二.工作原理和特性曲线;应用举例;1.5.2 晶闸管;二、工作原理;三、晶闸管的伏安特性;四、晶闸管的主要参数;第一章;1.6集成电路中的元件;1.6.1集成电路制造工艺简介;一、几个工艺名词;二、隔离技术;三、电路元件的制造工艺;1.6.2集成双极型管;二、其它类型晶体管;1.6.