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电子技术重难点分析 第一章 常用半导体（1-4） 一、半导体二极管 1、半导体二极管基础知识 N型半导体中掺杂的是5价元素，多数载流子是自由电子；P型半导体中掺杂的是3价元素，多数载流子是空穴。 PN结所加断电压u与流过它的电流i的关系： i=IS(equkt-1) 式中IS为反向饱和电流，k为玻尔兹曼常数，将kT/q用UT代替： i=ISeuUT-1 常温下，T=300K时，UT≈26mV。 2、二极管伏安特性曲线   开启电压 反向饱和电流 击穿电压 温度的 电压当量  材料开启电压导通电压反向饱和电流硅Si0.5V0.5~0.8V1μA以下锗Ge0.1V0.1~0.3V几十μA3、二极管主要参数： 最大整流电流IF： 最大反向工作电压UR： 反向电流IR： 最高工作频率fM： 4、二极管微变等效电路： Q点含义：二极管外加一正向电压UD时流过二极管的电流为ID 当在UD电压基础上再加一个微变电压ΔuD，此时二极管也将会有个变化的ΔiD，此时二极管等效为一个动态电阻rd，有如下关系： ID=ISeUDUT-1 UT≈26mV，UD?UT，u?UT rd=?uD/?iD 1rd=?iD?uD≈diDduD=dISeuUT-1du≈ISUT?euUT≈IDUT 二、晶体三极管 1、放大原理 理解IB、IE、IC、IEN、IBN、ICN、α、α、β、β 2、输入特性曲线 理解为什么UCE≥1V后区别不变了 3、输出特性曲线 理解饱和区、放大区、截止区的含义 4、晶体管的主要参数 直流参数：α、β、ICBO、IBEO 交流参数：α、β、特征频率 fT 极限参数：ICM、PCM、UBRCEO 第二章 基本放大电路（5-12） 一、放大的概念 放大的对象：变化量 放大的本质：能量的控制 放大的特征：功率放大 放大的基本要求：不失真——放大的前提 二、放大电路主要性能指标 1、放大倍数 Auu=Au=UoUi Aii=Ai=IoIi Aui=UoIi Aiu=IoUi 2、输入电阻Ri和输出电阻Ro Ri=UiIi Ro=Uo-UoUoRL=UoUo-1RL 3、通频带：衡量放大电路对不同频率信号的适应能力 4、最大不失真输出电压Uom：交流有效值 5、最大输出功率Pom和效率η：功率放大电路的参数 三、静态工作点 直流电源单独作用时晶体管的基极电流IB、集电极电流IC、b-e间电压UBE、管压降UCE称为放大电路的静态工作点Q，常将四个物理量记作IBQ、ICQ、UBEQ、UCEQ。在近似估算中常将UBEQ为已知量，对于硅管，取丨UBEQ丨为0.6~0.8V中某一值，如0.7V；对于锗管，取丨UBEQ丨为0.1~0.3V中某一值，如0.2V。有时也会将发射极电流IE记作IEQ。 四、三种基本放大电路 五、静态工作点分析（基极电流IBQ、集电极电流ICQ或IEQ和管压降UCEQ） IBQ=VBB-UBEQRb 基本共射放大电路 ICQ=βIBQ=βIBQ UCEQ=VCC-ICQRC IBQ=VBB-UBEQRb+1+βRe 基本共集放大电路 IEQ=1+βIBQ UCEQ=VCC-IEQRe IBQ=IEQ1+β 基本共基放大电路 IEQ=VBB-UBEQRe UCEQ≈VCC-IEQRC+UBEQ 六、动态工作电路分析（放大倍数、输入电阻Ri和输出电阻Ro） Au=UOUi=-βRcRb+rbe 基本共射放大电路 Ri=UiIi=Rb+rbe Ro=Rc  Au=UOUi=1+βReRb+rbe+1+βRe≈1 基本共集放大电路 Ri=UiIi=Rb+rbe+1+βRe∕∕RL Ro=UoIo=UoIRe+Ie=Re∕∕Rb+rbe1+β 特点：输入电阻大，输出电阻小；只放大电流，不放大电压；在一定条件下有电压跟随作用！ Au=UOUi=βRcrbe+1+βRe 基本共基放大电路 Ri=UiIi=Re+rbe1+β Ro=Rc 特点：输入电阻小，频带宽！只放大电压，不放大电流！ 七、空载情况三种接法比较 接法共射共集共基Au大小于1大Ai??1+βαRi中大小Ro大小大频带窄中宽八、失真分析 截止失真：由于uo=VCC-βIBQRc，在输入回路中，动态电压与VBB抵消使得晶体