第4章 半导体中的载流子的统计分布.pdf

第四章半导体中载流子及其导电 性 电子信息教研室 吴丽娟 2015年11月 主要任务：计算本征半导体和杂质半导体的热平 衡载流子浓度及费米能级的位置，讨论载流子浓 度、费米能级与杂质浓度、温度的关系 导带 N D n 0 T E F N A 价带 p 0 主要内容 • §4.1 状态密度 • §4.2 费米能级和载流子的统计分布 • §4.3 本征半导体的载流子浓度 • §4.4 杂质半导体的载流子浓度 • §4.5 一般情况下载流子的统计分布 • §4.6 简并半导体 掌握状态密度，费米能级和载流子的统计分布，本 征半导体的载流子浓度，杂质半导体的载流子浓度。 理解一般情况下的载流子的统计分布。了解简并半 导体。 §4.1 状态密度 一、热平衡 在一定的温度下，存在： 载流子产生过程 ——本征激发：电子从价带向导带跃迁 ——杂质激发：杂质能级与导带或价带 之间的激发 载流子复合过程 ——电子从导带回到价带或杂质能级上 Ec E D 产生 复合 Ev 在一定的温度下，载流子 产生数== 复合数 载流子浓度保持稳定数值→热平衡状态 动态平衡 热平衡载流子 二、热平衡时载流子的浓度 载流子浓度影响半导体导电性 载流子浓度决定于： ●允许电子存在的量子态按能量如何分布的， 或者说每一个能量E 内有多少允许电子存在 的量子态？ ●电子是按什么规律分布在这些允许电子 存在的量子态中？ 假设： 导带中单位能量间隔dE含有的状态数为g (E) c ——导带的状态密度 能量为E 的每个状态被电子占有的几率为f(E) 那么： 在能量dE 内的状态具有的电子数为： f(E)g (E)dE c 整个导带的电子数N为： E c N