张庆中课件25章节.pptVIP

* * 势垒电容 CT 2.5 PN 结的势垒电容 PN 结电容 扩散电容 CD 本节主要内容：势垒电容形成的机理； 导出突变结、线性缓变结和实际扩散结的势垒电容的计算方法。 2.5.1 势垒电容的定义 当外加电压有 ( - ?V ) 的变化时，势垒区宽度发生变化 ，使势垒区中的空间电荷也发生相应的 ?Q 的变化 ，如下图。 P区 N区 PN 结势垒微分电容 CT 的定义为 简称为 势垒电容。 （2-126） (-?Q )与(+?Q )虽然是由空间分布的电荷所构成，但由于 ?xp 与 ?xn 远小于势垒区总宽度 xd ，所以可将这些电荷看作是集中在势垒区边缘无限薄层中的面电荷。于是，PN 结就像一个普通的平行板电容器一样。所以势垒电容 CT 可以简单地表为 有时也将单位面积的势垒电容称为势垒电容。即： （2-127） 2.5.2 突变结的势垒电容 于是可得： 式中， （2-130） 根据势垒电容的定义， 势垒区总宽度 xd 可以表为 将上式代入平行板电容器公式的式（2-127） ，可以得到与式（2-130）相同的结果，即 对于 P+N 单边突变结， 对于 PN+ 单边突变结， 可见：CT 也是取决于低