张庆中课件微电子器件35章节.pptVIP

* 3.5 双极晶体管的反向特性 3.5.1 反向截止电流 各种反向截止电流的小结 (1) IES ：VBE 0 、VBC = 0 时的 IE ，即单个发射结的反向饱和电流。 VBE IES E B C N+ P N (3) ICBO ：VBC 0 、IE = 0 时的 IC ， 在共基极电路放大区中， VBC ICBO E B C N+ P N (2) ICS ：VBC 0 、VBE = 0 时的 IC ，即单个集电结的反向饱和电流。 VBC ICS E B C N+ P N (5) IEBO ：VBE 0 、IC = 0 时的 IE ， VBE IEBO E B C N+ P N (4) ICEO ：VBC 0 、IB = 0 时的 IC ， 在共发射极电路放大区中， VCE ICEO E B C N+ P N 当发射极开路时，IE = 0 ，但这并不意味着 VBE = 0 。那么VBE 应当为多少呢？根据边界条件知，当 VBC 0 时，在基区中靠近集电结的一侧， 浮空电势与 ICBO VCB ICBO IE = 0 浮空电势 E B C N+ P N 基区中的部分少子电子被集电结上的