张庆中课件微电子器件36章节.pptVIP

* § 3-6 基极电阻 已知 要使 增加，应使 减小与 增大。但 的减小受重掺杂效应的限制，而 的增大受厄尔利效应与基区穿通的限制，此外 ， 的增大还会使基极电阻 增大，影响晶体管的功率、频率与噪声特性。以下的分析以 PNP 管为例。 1、方块电阻 对于均匀材料: 对于沿厚度方向 ( x 方向 ) 不均匀的材料: 对于矩形的薄层材料，总电阻就是 乘以电流方向上的方块个数，即: 晶体管中各个区的方块电阻分别为: 发射区： 有源基区： 指正对着发射区下方的在 WB = xjC - xjE 范围内的基区，也称为 工作基区 或 内基区 。 无源基区：指在发射区下方以外从表面到 xjC 处的基区，也称为 非工作基区 或 外基区 。 ( 1 ) 内基区电阻 rb’ 基极电阻 rbb’ 由 4 部分组成 ： ( 2 ) 内基区边缘到基极接触孔边缘下的电阻 rb ( 3 ) 基极接触孔边缘下到基极接触处的电阻 rcb ( 4 ) 基区与基极金属的欧姆接触