微电子学导论MOSFET的电气特性.ppt

超大规模集成电路与系统导论2010 超大规模集成电路与系统导论2010 * 超大规模集成电路与系统导论2010 超大规模集成电路与系统导论2010 * 超大规模集成电路与系统导论2010 超大规模集成电路与系统导论2010 * EE141 超大规模集成电路与系统导论2010 MOSFET电气特性/电子学分析 * 超大规模集成电路与系统导论 第二部分 从逻辑到电子电路 第六章 MOSFET电气特性 第七章 MOSFET逻辑电子学分析 * 第六章 MOSFET的电气特性 6.1 MOS物理学（复习） 电流与电压的关系： A Switch! |V GS | An MOS Transistor * 第六章 MOSFET的电气特性 * 第六章 MOSFET的电气特性 VgsVt （反型区） 0VVgs=Vt （耗尽区） * 第六章 MOSFET的电气特性 * 第六章 MOSFET的电气特性 VgsVt:形成导电沟道 * 第六章 MOSFET的电气特性 阈值电压的推导 （1） （2） （3）考虑沟道的预掺杂 * 第六章 MOSFET的电气特性 体偏置（衬底偏置）效应对阈值电压的影响 * 第六章 MOSFET的电气特性 体偏置（衬底偏置）效应对阈值电压的影响 * 第六章 MOSFET的电气特性 阈值电压是由工艺决定的参数，会在Foundary的电气参数表中进行说明。同时：工作温度；以及体偏压也能影响阈值电压的大小。 阈值电压的典型值： -- nFET: VTn= 0.5~0.8V --pFET: | VTp| = 0.5~0.8V * 第六章 MOSFET的电气特性 6.2 nFET的电流--电压方程 * 第六章 MOSFET的电气特性 6.2 nFET的电流--电压方程 电压定义： Vgs = Vg – Vs Vgd = Vg – Vd Vds = Vd – Vs = Vgs - Vgd Source源 和 drain漏 对称，漏端是沟道载流子流出的端口 对于nFET: Vds ? 0 nFET: 衬底接地， Vds = 0 V nFET的工作区 截止区Cutoff 导通之线性工作区：Linear 导通之饱和工作区： Saturation * nMOS Cutoff（截止：Vgs=Vt) No channel Ids ≈ 0 第六章 MOSFET的电气特性 * nMOS Linear:导通之线性工作区 VgsVt:沟道形成 电流 d to s 电子e- from s to d Ids increases with Vds Similar to linear resistor 第六章 MOSFET的电气特性 * nMOS Saturation：导通之饱和工作区 Vds=Vgs-Vt Channel夹断 Ids 与 Vds无关 电流大小几乎不变 （饱和） 第六章 MOSFET的电气特性 * 第六章 MOSFET的电气特性 * 第六章 MOSFET的电气特性 保持Vds=Vdd不变，Ids与Vgs的关系曲线 * 第六章 MOSFET的电气特性 保持VgsVt不变，Ids与Vds的关系曲线 * 第六章 MOSFET的电气特性 Ids与Vds的关系曲线受Vgs的影响 * 第六章 MOSFET的电气特性 6.3.1 FET的RC模型 * 第六章 MOSFET的电气特性 a点的电阻： b点的电阻： c点的电阻： 简化的线性电阻公式： 用于手工计算的线性电阻公式： 6.3.1 电阻 * 第六章 MOSFET的电气特性 6.3.2 FET电容 （1）MOS电容 * 第六章 MOSFET的电气特性 6.3.2 FET电容 （2）MOS结电容 * 第六章 MOSFET的电气特性 6.6.3 RC模型的建立 * 第六章 MOSFET的电气特性 pFET特性 pFET的阈值电压Vtp为负值：（形成空穴组成的强反型p沟道的Vgs值），Vtp典型值在-0.5～-1.0v * 第六章 MOSFET的电气特性 pFET的IV特性 （1）线性区 （2）饱和区 * 第六章 MOSFET的电气特性 pFET的RC模型参数（寄生电阻电容） （1）简化用于手工计算的线性化电阻： （2）电容 -a- 源/漏电容 -b- pn结电容 * Pn结电容的扩展学习Diffusion Capacitance Bottom Side wall Side wall Channel Source N D Channel-