硅铁炉况的分析和维护.docVIP

1 前言 在硅铁生产过程中或多或少存在着炉况的波动，较大的炉况波动会造成冶炼操 作困难，指标恶化。对炉况的变化需准确及时地作出判断，以尽快找住引起炉况变 化的原因和正确指定出处理炉况的有效措施，改善硅铁冶炼经济技术指标。 2 硅铁冶炼存在的基本反应 硅铁电炉冶炼时从上到下可分为预热带、烧结区即坩埚壳、坩埚区和电弧区， 个区域的温度和基本反应及产物大致如下： 2.1 预热带（SiO歧化反应区）温度约500~1300℃，厚度约200~400mm，炉心处 由于沉料快而厚，锥体边脚由于沉料慢而薄。其主要反应是： 2Si=SiO2+Si …………………………① △G0=-630113+290.56T t开≤1895℃ SiO(g)+2C(s)=SiC(S)+CO(g)………………② △G0=-5875-4.02T 3SiO(g)+CO(g)=SiC(S)+ 2SiO2(s)……….③ △G0=-1260227+581.13T t开≤1896℃ Si(l)+C(s)=SiC(s)…………………………④ △ G0=-100600+34.9T t开≤2609℃ 主要产物是SiC、Si、SiO2、、SiO 较多地被多孔的焦炭吸附并形成SiC，不与 焦炭接触的SiO发生歧化反应后所得的Si也有部分在操作和炉料运行中与焦炭接触 按④生成SiC，因此在该区对SiC的生成更有利。但由于①、②、③反应都是气体物 质接触固体炉料时发生，因此所得产物量是有限的。 2.2 烧结区即坩埚壳（SiC形成区）温度约1300-1750℃，厚度随炉况而变化（ 应在400mm以上），其主要反应是： 1/2SiO2（L）+3/2C(s)=1/2SiC(S)+CO(g)………………………⑤ △ G0=67035-43.89T t开=1254℃ 3SiO(g)+CO(s)=SiC(S)+2SiO2（L）………………………………⑥ △G0=-332.75+0.1529T t开≤1903℃ Fe(l)+ SiC(S)= FeSi(l)+ C(s) ………………………………⑦ △ G0=9900-9.14T t开=810℃ 6SiO2（L）+12C(s)+Fe(l)=FeSi(l)+5Si(l)+12 CO(g) ……………⑧ △ G0=9900-9.14T t开=810℃ 2SiO(g)= SiO2（L）+ Si(l) ……………………………………① SiO(g)+2C(s)= SiC(S)+CO(g)……………………………………② Si(L) + Fe(l)= FeSi(l) ………………………………………⑧ △ G0=-28500-0.64T 主要产物是SiC、含Si低的[Si]Fen及SiO2，由于该区硅石软化呈半熔融状态， 与C接触更充分，大量生成SiC。此时铁屑以熔化，其破解SiC反应加快，或按⑧反 应生成一部分含Si低的[Si]Fen，有①、③反应所得的液态SiO2与SiC形成烧结状态 影响炉料透气性。 2.3 坩埚区（SiC的分解区）温度约1750-2000℃，厚度随炉况而变化，其主要 反应是： SiO(g)+SiC(S)=2 Si(L)+ CO(g) ……………………………⑨ △ G0=49150-24.59T t开=1726℃ 1/2SiO2（L）+ SiC(S)=3/2Si(L)+CO(g) ……………………⑩ △ G0=97380-47.64T t开=1771℃ 1/2SiO2（L）+ C(S)=1/2Si(L)+CO(g) ………………………⑾ △ G0=83700-43.2T t开=1665℃ 主要产物是Si和含Si高的[Si]Fen，由于该区温度提高使SiO2破解SiC而生成大 量的Si，有该区上部所得的含Si低的[Si]Fen溶解该区生成的Si而得到含Si高的[S i]Fen。由于焦炭在进入该区前参与生成SiC的反应大量被消耗掉，因此在坩埚区⑾ 反应较少且受⒃反应所限制。 2.4 电弧区（各质气化区）温度约2000-6000℃，其大小与电压有关，主要反 应是： 3/2SiO2（L）+ SiC(S)=1/2Si(L)+CO(g)+ 2SiO(g)……………………⑿ △ G0=211975-95.69T t开=1942℃ 2SiO2（L）+ SiC(S)= CO(g)+ 1/3SiO(g)……………………⒀ △ G0=315850-131.13T t开=2136℃ SiO(g)+SiC