维修电工(高级)第二章精选.pptVIP

第三章 室内装饰设计的准备工作 第二章 电力电子技术基础 依据 劳动和社会保障部 制定的《国家职业标准》要求编写 国家职业资格培训教材 技能型人才培训用书 电力电子技术基础 第二章 第二章　电力电子技术基础 培训学习目标 　　熟悉电力晶体管、门极关断晶闸管熟悉电力晶体管、门极关断晶闸管和功率场效应晶体管的主要特点；熟悉三相半波可控整流电路的组成、工作原理和波形分析；掌握正弦波触发电路的组成及控制方式；熟悉三相桥式可控整流电路的组成、工作原理和波形分析；掌握三相全控桥式整流主电路与锯齿波同步触发电路的安装与调试；掌握逆变电路的基本原理和典型应用。 第二章 电力电子技术基础 第三节 逆变电路66 一、有源逆变电路66 二、无源逆变电路69 三、中高频电源71 复习思考题 第一节 电力电子器件 一、功率晶体管（GTR） 二、门极关断（GTO）晶闸管 三、功率场效应晶体管（MOSFET） 第二节 晶闸管整流电路 一、三相半波可控整流电路 二、三相桥式整流电路 目 录 第一节 电力电子器件 一、 功率晶体管（GTR） 1.GTR的结构 图2-1 2.GTR的主要参数 （1）开路阻断电压UCEO （2）集电极最大持续电流ICM （3）电流增益hFE （4）开通时间ton （5）关断时间toff 第一节 电力电子器件 二、门极关断（GTO）晶闸管 1.GTO的门极伏安特性 图 2-3 2.GTO的主要参数 （1）电流关断增益Goff （2）最大可关断阳极电流IATO 3.GTO的优点 1）用门极负脉冲电流关断方式代替主电路换流，关断所需能量小。 2）门极关断晶闸管只需提供足够幅度、宽度的门极关断信号就能保证可靠的关断。 3）有较高的开关速度，可关断晶闸管的工作频率可达35kHz。 第一节 电力电子器件 三、功率场效应晶体管（MOSFET） MOSFET是一种单极型的电压控制器件，具有驱动功率小、工作速度高，无二次击穿问题，安全工作区域宽等显著特点。 1.功率MOSFET的基本工作原理 在栅极电压为零（UGS=0）时，即使在漏极和源极（简称漏源，DS）之间施加电压也不会造成P区内载流子的移动，也就是说，此时MOSFET处于关断状态。但是，在保持漏源（DS）间施加正向电压的前提下，如果在栅极G上施加正向电压（UGS0），就有漏极电流ID，则MOSFET开始导通。若在栅极上加反向电压（UGS0），则没有电流ID流过，器件处于关断状态。 图2-4 第一节 电力电子器件 三、功率场效应晶体管（MOSFET） 2.MOSFET的主要参数 （1）通态电阻Ron （2）漏源击穿电压BUDS （3）栅源击穿电压BUGS （4）开启电压UGST （5）最大漏极电流IDM （6）开通时间ton和关断时间toff 第二节 晶闸管整流电路 一、三相半波可控整流电路 1.电路接线方法 图2-5 2.电阻性负载时测试波形 （1）电阻性负载两端的电压波形 （2）晶闸管两端的电压波形 图2-6 第二节 晶闸管整流电路 一、三相半波可控整流电路 2.电阻性负载时测试波形 1）VT1在ωt1～ωt2期间A（U）相导通，uVT1仅是管压降，与横轴重合。 2）ωt2～ωt3期间B（V）相导通，经VT2加到VT1的阴极，VT1承受反向电压而关断，承受的电压为线电压UAB。 3）ωt3～ωt4期间C（W）相导通，经VT3加到VT1的阴极，VT1承受反向电压而关断，承受的电压为线电压UAC。 4）负载Rd上的电压ud由三相电源轮换供给，其波形是三相电源波形的正向包络线。 5）ωt1、ωt2……称为自然换流点，距相电压波形原点30°，触发延迟角α是以对应的自然换流点为起始点，往右计算。 6）对于电阻性负载，负载上的电压波形与电流波形相同。 第二节 晶闸管整流电路 一、三相半波可控整流电路 3.大电感负载时测试波形 图29三相半波可控整流电路（电感性负载） 1）α≤30°时，电感性负载时电压、电流的波形分析和参数计算与电阻性负载的相同。 2）α＞30°时，电压、电流的波形。 3）大电感负载时，移相范围为90°。 4）晶闸管两端的电压波形。 5）当电路加接续流二极管时，ud的波形如同电阻性负载，id的波形如同大电感负载。 第二节 晶闸管整流电路 一、三相半波可控整流电路 4.正弦波触发电路 （1）电路组成正弦波触发电路 （2）同步电压信号 图2-12 图2-12 第二节 晶闸管整流电路 一、三相半波可控整流电路 4.正弦波触发电路 （3）控制脉冲电压信号 1）控制电压Uc的引入是为了触发脉冲与相对应的晶