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通信高频开关电系统构成分析
精品论文 参考文献
通信高频开关电系统构成分析
广东电网有限责任公司 惠州供电局 516000
摘要:随着电子科学的快速发展,人们对电子产品的需求量与日俱增。而电源作为电子产品的能源供应中心,自然受到人们的高度关注。早期使用的线性稳压电源,由于其效率较低,已不能满足许多设备的需求。而随着脉宽调制技术的发展,PWM开关电源问世,它的电源效率远远高于线性稳压电源,并且开关频率越高,电源内部的变压器、电感器等的体积越小,这又使得开关稳压电源有了小型、轻量的优势。故研究并设计开关稳压电源有重要的现实意义。
顾名思义开关稳压电源是通过控制开关管的通断时间,从而控制输出电压的大小。本文在介绍了开关电源的各种工作方式、其优劣势、设计方法及未来发展方向等的基础上,对开关稳压电源进行设计。设计分为三个模块进行,分别为辅助电源模块、PWM控制模块、升压电路部分,其中PWM控制电路为电源设计的核心。确定电路设计方案后,使用Multisim 10对电路进行仿真,并对电路的参数进行配比,尽量使电路的参数达到最佳、使输出电压趋于稳定,从而达到设计要求。
关键词:开关;稳压;脉宽调制;斩波
引言
线性电源在工业应用中的应用很长一段时间,传统的线性稳压电源电路结构简单,易于调整,输出电压纹波小。然而,这种电压调节器电路的主要缺点是效率低,而且由于调节管的功耗,有时需要安装在调节管上的散热器,从而在体积和重量的功率增加,比较笨重。开关稳压电源(以下简称开关电源)问世后,在许多领域逐步取代了用晶闸管相控电源供电的线性稳压电源。在早期阶段,该系列开关电源是类似的线性电源的主电路拓扑结构,但功率晶体管在开关状态工作。随着脉冲宽度调制(PWM)技术的发展,PWM开关电源出来,它的特点是载波脉冲宽度调制,电源效率高达70%~65%,而线性电源的效率只有30%~40%。因此,采用脉宽调制开关电源代替线性电源,可以大大节约能源,这引起了人们的广泛关注,在电源技术的发展史上是一场革命。随着超大规模集成电路芯片尺寸的不断减小,与体积和微处理器的功率相比要大得多;而航天、潜艇、保护开关电源和电池等便携式电子设备如便携式电脑、手机等需要更多的小型化和重量轻的电源供应器。因此,对高频开关电源的设计和研究具有重要的理论和现实意义。
1 功率半导体器件性能
1998年,Infineon公司推出冷MOS管,它采用“超级结”(Super-Junction)结构,故又称超结功率MOSFET。工作电压600~800V,通态电阻几乎降低了一个数量级,仍保持开关速度快的特点,是一个有前途的高频功率半导体器件。
当IGBT刚出现时,其额定电压和电流仅为600V,25A。时间一长,电压等级的限制在1200到1700,长时间的学习和改进后,现在的IGBT电压和额定电流值达到3300V / 1200A,4500V/1800A,高压IGBT单片电压已达到6500v,IGBT工作频率一般上限是20 ~ 40kHz。基于穿通(PT)的IGBT制造新技术结构的应用,可以工作于150kHz(硬开关)和300kHz(软开关)。
IGBT技术的进步实际上是一种压力状态,快速开关和高压容量三妥协。随着技术和在20年的发展进程中不同的IGBT的结构形式,有以下几种类型:穿通(PT),非穿通(NPT)型、软穿通(SPT)式、通道式CaO和视场光阑(FS)。
碳化硅(SiC)是一种理想的功率半导体器件晶片材料,本实用新型的优点是禁带宽度、高温度(600℃),热稳定性,通过状态电阻小、导热性能好,漏电流小,PN结电压较高,有利于产生抗高高温、高频、大功率半导体器件。预计碳化硅将是最有可能的应用在第二十一世纪的新的功率半导体器件。
2 高频开关电源系统
2.1 高频开关电源系统构成
高频开关电源的开关为功率半导体管,开关装置的占空比由功率管定期控制,调节控制开关装置的输出电压。开关电源的基本结构如图2-1所示,其核心是直流/直流转换器,功率转换,除了启动电路,过流、过压保护电路、滤波电路。对输出电阻R1和R2的样品,主要任务是检测输出电压的变化,并与基准电压Ur相比误差电压UE放大和脉冲宽度调制(PWM)电路后,通过驱动电路控制功率晶体管,开关器件的占空调节输出电压调节大小。图2-2是一种形式的电路实现。
直流/直流变换器有多种形式,使用最多的是脉宽调制变换器和谐振式变换器,其中的工作波形为变换器的工作波形,谐振变换器的工作波形为准正弦波。
开关型稳压电源的输入有大量的瞬态变化,显示在输出端。当开关频
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