铜的表面改性热处理新方法初探_沈复初精选.pdfVIP

第 30 卷第 5 期 浙　　江　　大　　学　　学　　报 ( 自然科学版) №5 V o l. 30 ( Science) 1996 年 9 月 Jou rn a l o f Zh ej ian g U n iver sity N atu ra l Sep t. 1996 铜的表面改性热处理新方法初探 沈复初　叶必光　郦　剑 毛志远　甘正浩　晋圣发 (浙江大学材料系, 杭州, 3 10027) 提　　要 　　本文介绍了含硅气氛下纯铜低温 CAD 表面改性的高频感应加热设备, CVD 装置以及相应的 测温装置和手段. 进行了纯铜 CVD 表面改性的初步研究. 结果表明, 在 600 ℃左右的温度下, 利用 硅烷氢( ) 混合气在纯铜试样表面的热分解, 能够获得铜硅化合物表层, 其硬度较基体有 SiH 4 H 2 很大的提高. 当形成铜硅固溶体时, 硬度无明显变化. 关键词: 表面改性; CV D ; 铜硅化合物 中图法分类号: T G 166. 2 0　前　言 　　铜及其合金的高电导率和热导率、易于成型以及适当的机械性能等优 良特性使其成为工 程上广泛应用的一种重要有色金属材料. 但是铜, 尤其是工业纯铜, 同时存在强度低、硬度低、 抗氧化性差、耐磨性不高、耐腐蚀性不强等不足, 使其应用范围受到限制. 在某些特定使用条件 下, 人们采取了电镀或化学镀等方法以改善其表面的抗蚀及抗氧化性能, 但常见的镀覆工艺获 得的镀层与基体的结合强度并不理想, 且存在诸如能耗大, 环境污染等问题. 利用CV D 技术, 可使铜表层的性能由改变表层材料组织而获得改善. 　　气体化学热处理获得表面渗层, 对黑色金属钢铁是重要的处理方法, 但在有色金属方面还 少见有关气体化学热处理来改善表面性能的报道. 铜中渗硅, 尤其是在低温下实现气体CV D 表面改性是一种新型的化学热处理工艺. 利用硅烷氢( ) 混合气体进行低温 表面 SiH 4 H 2 CV D 〔1～ 3 〕 改性得到扩散表层能显著提高铜的抗高温氧化及耐蚀等性能 . 根据 Cu Si 二元合金相图 ( ) 〔4 〕 图 1 , 有可能获得Cu Si 固溶体或铜硅金属间化合物相 . 　　本文报道了纯铜在含硅气氛下低温CV D 表面改性所用的设备及工艺的初步研究, 测试 了改性表层的组织和硬度, 得出一些基本结论. 同时考虑到石墨基座上温度分布可能造成的对 实验结果的影响, 本文对石墨基座的温度分布进行了讨论. 国家自然科学基金资助项 目 　　　本文于 1996 年 2 月收到　沈复初: 男, 1943 年出生, 副教授 ( ) 　　　　　　　浙　　江　　大　　学　　学　　报 自然科学版 　　　　　　1996 年 524 图 1　Cu Si 二元合金相图 1　实验条件选择 1. 1　CV D 系统 　　硅烷是一种无色的气体, 在 400 ℃时, 硅烷完全分解成硅和氢. 而其它常用的硅源气如四 氯化硅、三氯氢硅等, 其氢还原温度分别为 1100 ℃和 900 ℃左右, 且该气氛发生还原反应,