4第4章半导体的导电性 - 修改版 微电子学基础课件.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 前言， * 第4章半导体的导电性 本章内容： 1，载流子在外加电场作用下的漂移运动，漂移电流表达式； 2，半导体的迁移率、电导率、电阻率 ，并讨论影响这些参数的因素。 前言， * 第4章半导体的导电性 §4-1载流子的漂移运动和迁移率 §4-2载流子的散射 §4-3迁移率与杂质浓度和温度的关系 §4-4电阻率及其与杂质浓度和温度的关系 §4-5玻耳兹曼方程、电导率的统计理论 §4-6强电场下的效应、热载流子 §4-7多能谷散射、耿氏效应 载流子热运动不会产生电流。 载流子在电场中的定向运动将形成电流。 漂移运动：由电场作用而产生的、沿电场力方向的运动为漂移运动 漂移电流：由载流子的漂移运动所引起的电流称为漂移电流。 §4-1 载流子的漂移运动和迁移率 * §4-1 载流子的漂移运动和迁移率 欧姆定律的微分形式 其中ρ为材料的电阻率，单位Ω·cm。σ为电导率，常用单位是S·cm-1。 1，从均匀情况导出的，同样适用于非均匀情况。 2，半导体中某点的电流密度正比于该点的电场强度，比例系数为电导率σ。 * §4-1 载流子的漂移运动和迁移率 欧姆定律的微分形式 * §4-1 载流子的漂移运动和迁移率 漂移速度和迁移率 漂移速度： 和 分别为电子和空穴的平均漂移速度。 迁移率：单位电场下电子和空穴的平均漂移速度。分别用 和 表示电子和空穴迁移率，单位为 。 在不同的半导体材料中， 、 不同；在同一种材料中， 和 也不同。 * §4-1 载流子的漂移运动和迁移率 漂移电流 * §4-1 载流子的漂移运动和迁移率 * 漂移电流 §4-1 载流子的漂移运动和迁移率 * 迁移率 载流子的平均漂移速度与电场强度成正比，通常用μ表示其比例系数，称为迁移率 和 分别称为电子和空穴迁移率，表示在单位电场下电子和空穴的平均漂移速度，单位为 。 §4-1 载流子的漂移运动和迁移率 * 电导率 §4-2 载流子的散射 * 在一定温度下，半导体内部的大量载流子，即使没有电场作用，它们也不是静止不动的，而是作着无规则的热运动。 载流子在运动中，由于晶格热振动或电离杂质以及其他因素的影响，不断地遭到散射，载流子的大小及方向不断地在改变着。 §4-2 载流子的散射 * 平均自由时间 载流子在两次散射之间的时间间隔叫做自由时间t。 在这段时间内所经过的距离叫做自由路程。 自由路程的平均值，即叫做平均自由程l 。 §4-2 载流子的散射 * 散射的根本原因：周期性势场的被破坏。 产生附加势场的原因： 1）电离杂质的散射 2）晶格振动的散射 声学波散射 光学波散射 3）其他因素引起的散射 等同的能谷间散射 中性杂质散射 位错散射 合金散射 §4-2 载流子的散射 * 电离杂质的散射 §4-2 载流子的散射 * 晶格振动的散射 §4-2 载流子的散射 * 晶格振动的散射 §4-3 迁移率与杂质浓度和温度的关系 * 平均自由时间与散射概率成倒数关系 平均自由时间与载流子的迁移率成正比 表示电子的平均自由时间， 表示空穴的平均自由时间 §4-3 迁移率与杂质浓度和温度的关系 * 平均自由时间与电导率成正比 N型： P型： 混合型： * 迁移率与杂质浓度和温度的关系 常用半导体锗、硅中起主要散射作用的是晶格纵声学波散射和电离杂质散射。 §4-3 迁移率与杂质浓度和温度的关系 * §4-3 迁移率与杂质浓度和温度的关系 * §4-4 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系 半导体的电阻率取决于载流子浓度和迁移率，两者均与掺杂浓度和温度有关 * §4-4 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系 对于本征半导体，本征载流子浓度随温度的上升而急剧增加，而迁移率随温度升高而下降较慢，所以本征半导体的电阻率随温度增加而单调地下降 对于杂质半导体，电阻率随温度变化的关系较为复杂 图4-16 * §4-5 玻耳兹曼方程、电导率的统计理论 玻耳兹曼方程 电导率 * §4-6 强电场下的效应、热载流子 * §4-7 多能谷散射、耿氏效应 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * *