5电导5.3 无机材料物理性能 教学课件.pptVIP

* 电阻： U=RI 电阻率或比电阻 R=?L/S J：电流密度： E：电场强度； ?：载流子的迁移率； q：一个载流子的电荷 n：载流子的浓度. 电导率 ?=1/ ? =J/E=nq? 5.3.1 载流子的散射概述 5.3 电 子电导 在外电场E的作用下， 金属中的自由电子的加速度：a==eE/m e 电子每两次碰撞之间的平均时间2?； 松弛时间? ，与晶格缺陷和温度有关，温度越高，晶体缺陷越多电子散射几率越大， ?越小； 单位时间平均散射次数1/2 ? ；电子质量m e； 自由电子的平均速度：v= ?eE/m e ； 自由电子的迁移率： ?e=v/E= ?e/m e ； 晶格场中电子的迁移率： ?e=v/E=?e/m*（有效电子） 散射：电子与晶体中的声子、杂质离子、缺陷等发生碰撞的过程。 散射的原因：周期性势场被破坏。 周期性势场被破坏的原因：半导体内存在附加势场，这一势场使周期性势场发生变化。 附加势场的作用：使能带中的电子在不同k状态间跃迁，也即原来沿某一个方向以v(k)运动的电子，附加势场可以使它散射到其它各个方向，以速度v(k’)运动。 载流子的散射机构 1. 电离杂质的散射 + — 2. 晶格振动的散射 半导体的主要散射（附加势场）机构有： 晶格中