5第5章非平衡载流子 - 修改版 微电子学基础课件.pptVIP

* * * * * * * * * 设有一块受均匀光照的半导体薄片，假定光于能量足够高，能在半导体中产生非平衡载流子。同时还假定光在整个样品中被均匀地吸收，因而单位体积内非平衡载流子的产生率是相同的，它们在样品中是均匀分布的。稳定时，半导体中非平衡载流子的浓度为⊿n和⊿p。 在t＝0时光照停止，由于载流子的复合率大于热产生率，使得⊿p将随时间衰减，单位时间内非平衡载流子浓度的减少应为-d⊿p(t)/dt。非平衡载流子的减少是由复合引起的，每个非平衡载流于在单位时间内被复合消失的几率为1/τ，每消失一个非平衡少数载流子的同时必定要消失一个非平衡多数载流子，显然，非平衡载流子的复合率(有时也称它为电子-空穴对的净复合率，即单位体积内净复合消失的电子-空穴对数)应为⊿p/τ，因此得到-d⊿p(t)/dt=⊿p(t)/τ，即 (4-12) 小注入时τ是一个恒量，与⊿p(t)无关，则式(4-12)的通解为 (4-13) 设t＝0时，⊿p(0)＝(⊿p)0，代入上式得C＝(⊿p)0，则式(4-13)为 (4-14) 上式就是非平衡载流子浓度随时间按指数衰减的规律，它和图4-5所示的实验曲线是一致的。 从式(4-12)可知，非平衡载流子的复合与它们的寿命有关。τ的值愈大，表明非平衡载 79 流子复合得愈慢；τ的值愈小，则复合愈快。 当t＝τ时，由式(4-14)得到 (4-15)