8第8章半导体表面与MIS结构-修改版c 微电子学基础课件.pptVIP

* 介绍有关表面的最初步的概念。还将介绍不同导电类型的半导体相接触时发生的现象以及金属和半导体接触时发生的现象。 §8-1表面态 前言， * 第8章 半导体表面与MIS结构 主要内容: §8.1 表面态 §8.2 表面电场效应 *§8.3 MIS结构的C-V特性 * §8.4 硅-二氧化硅系统的性质 * §8.5 表面电导率及迁移率 * §8.6 表面电场对pn结特性的影响 * §8.1 表面态 1.理想表面： 先就理想情形，即晶体表面不附着任何其他分子或氧化膜的情形进行讨论。 * §8.1 表面态 1.理想表面 理想表面：表面层中原子排列的对称性与体内原子完全相同，且表面上不附着任何原子或分子的半无限晶体表面。（实际不存在） * §8.2 表面电场效应 8.2.1 空间电荷层及表面势 8.2.2 表面空间电荷层的电场、电势和电容 * §8.2 表面电场效应 讨论在外加电场作用下半导体表面层内发生的现象。 * §8.2 表面电场效应 1，空间电荷层和表面势 空间电荷层 表面势 Vs 体内电势为参考电势0时， 半导体表面处的电势值为Vs 1 多数载流子堆积状态 2 多数载流子耗尽状态 3 少数载流子反型状态 * §8.2 表面电场效应 表面势及空间电荷区的分布情况随金属与半导体间所加的电