《计算机电路基础》全套电子教案-第四章 门电路.pptVIP

第四章 门电路 第四章 门电路 了解TTL与非门、集电极开路门和三态门的工作原理，熟悉它们的外特性及其应用。 晶体管的结构示意图及电路符号 MOS场效应管 P型硅片作衬底，表面制作两个N型区，引出源极(s)和漏极(d)，覆盖一层SiO2，在漏源之间绝缘层上再制作一层金属铝，引出栅极(g) 。 三态TTL门 三态TTL门与普通TTL门不同，它的输出端除了可以出现高、低电位（正常工作状态，低阻输出），还可以出现第三种状态——高阻状态（或称阻塞状态、禁止状态） A、B输入端 F输出端 G 控制端 * * 熟悉TTL 门电路及CMOS门电路的主要参数（工作速度、功耗、抗干扰能力、带负载能力），参数的物理意义和数值的量级。 4.1 数字集成电路的特点与分类 半导体集成电路：采用外延生长、氧化、光刻、扩散等技术，将多个晶体管、电阻、电容等元件以及它们之间的连线做在一块半导体基片上所构成的电路。 按内部有源器件不同分类： 双极型数字集成电路（TTL电路） MOS型数字集成电路（CMOS电路） 按集成度不同分类： 小规模集成电路（SSI）：10～100元件／片 如各种逻辑门电路、集成触发器。 中规模集成电路（MSI）：100～1000元件／片，如译码器、编码器、寄存器、计