单片机课件8.ppt

* 第8章 MCS-51单片机的系统扩展 8.1 存储器概述 8.2 单片机扩展及系统结构 8.3 扩展存储器编址及映像* 8.1 存储器概述 8.1.1 存储器的分类 按照存取速度和用途：内存和外存 内存一般都使用半导体存储器 8.1.2 半导体存储器的分类 按存取方式不同，分为: 随机读写存储器RAM(Random Access Memory)； 只读存储器ROM (Read Only Memory)。 按制造工艺不同，分为： 双极型、CMOS型和HMOS型。 半导体存储器的分类 一、随机存取存储器（RAM） 按信息存储方式可分为SRAM, DRAM. 1. 静态RAM(Static RAM, 简称SRAM)： 存储单元：双稳态触发器。 优点：信息保存稳定，不易失， 缺点： 集成度低。 2. 动态RAM(Dynamic RAM, 简称DRAM)： 存储单元：电容。 优点: 电路简单， 集成度高， 缺点： 电容易漏电。 3. 非易失RAM：或掉电自保护RAM，即NVRAM（Non volative RAM）。 NVRAM=SRAM+EEPROM 二、只读存储器有 4 种类型： 1. 掩膜ROM 2. 可编程ROM （PROM） 3. 可擦除的PROM （EPROM－ Erasable Programmable ROM)， 紫外线擦除 (UV EPROM) 4. 电擦除的PROM （EEPROM ：E2PROM－Electrically Erasable PROM） 8.1.3 半导体存储器的性能指标 一、存储容量 存储容量是指存储器可以存储的二进制信息量，以位为单位。 它一般是以能存储的字数乘以字长表示的。即 存储容量=单元数×数据线的位数 例如：Intel 2114 芯片容量＝1K× 4位＝4K bit Intel 6264 芯片容量＝8K× 8位＝64K bit 数据线的位数： 1, 2, 4, 8 位 二、最大存取时间 指从CPU给出有效的存储器地址到存储器给出有效数据所需的时间。 三、功耗 四、电源 四、静态RAM（SRAM） 1. 存储单元的内部结构 “1” “1” SRAM存储单元的结构 利用基本存储电路排成阵列，再加上地址译码电路和读写控制电路就可以构成读写存储器。 通常对一个静态RAM芯片，有一组地址输入端， 地址线的条数决定了该芯片的存储单元个数。 有一组数据线，共用数据线输入(或输出)数据线的条数决定每个存储单元的位数。 常用SRAM芯片: 2114(1K×4位)、 4118(1K×8位)、 6116(2K×4位)、 6264(8K×8位)、62128（16K × 8位），62256（ 32K×8位）等。 1K 单元的内存用10根地址线：210＝1024 举例：16单元 的SRAM 原理， 24＝16 ：片选信号：低电平有效 ：写允许信号 ： 输出允许信号 2K*8=16Kbit 1K*4=4Kbit CPU 8.2 单片机扩展及系统结构 连接中要解决的主要问题： 存储器的寻址方法。 8.2.1 单片机的扩展结构 数据线 地址线 (3) 控制线 8.2.2 单片机扩展的实现 单片机扩展总线构造图 存储器的寻址方法 片选：对存储器芯片的选择。 字选：选择芯片内的某一存储单元。 外部译码电路的两种方法： 一、线选法 用地址总线中的某一高位线直接作为存储器芯片的片选信号。 8.3 扩展存储器及映像 8.3.1 单片机芯片的选择方法 单片程序存储器扩展连接图 实际上,该2716芯片对应有16个映像区，即：8000H ～87FFH，8800H～8FFFH，9000H～97FFH，9800H～9FFFH，A 000H～A7FFH，A800H ～AFFFH， …，F800H～FFFFH，在这些地址范围内都能访问这片2716。 两片程序存储器扩展连接图 由于P2.6 P2.5共有4种组态，因此，每个芯片有4个寻址区域， 当P2.6 P2.5＝00时，右片的寻址范围为8000H～9FFFH， 左