电源正弦脉宽调制和变频技术的应用（论文）.pdfVIP

引言 正弦脉宽调制和变频调速技术在工业控制领域的应用日见广泛。许多电力测试仪器都要 求大功率、高性能以满足电力设备的测试要求。目前，市场上的大功率开关电源，其核心功 率器件大都采用 MOSFET半导体场效应晶体管和双极型功率晶体管，它们都不能满足小型、 高频、高效率的要求。MOSFET 场效应晶体管具有开关速度快和电压型控制的特点，但其通 态电阻大，难以满足高压大电流的要求；双极型功率晶体管虽然能满足高耐压大电流的要求， 但没有快速的开关速度，属电流控制型器件，需要较大的功率驱动。绝缘栅双极型功率晶体 IGBT集 MOSFET 场效应晶体管和双极型功率晶体管于一体，具有电压型控制、输入阻抗大、 驱动功率小、开关速度快、工作频率高、容量大等优点。用高性能的绝缘栅双极型功率晶体 IGBT 作开关逆变元件、采用变频调幅技术研制的逆变电源，具有效率高、性能可靠、体积 小等优点。 2 工作原理 该电源采用高频逆变技术、数字信号发生器、正弦脉宽调制和变频调幅、时序控制上电 和串联谐振式输出。电源具有效率高、输出功率大、体积小等优点，其总体原理框图如图 1 所示。 由数字信号发生器产生的正弦波被 25kHz的三角调制波调制，得到一个正弦脉宽调制 波，经驱动电路驱动逆变元件 IGBT。改变正弦波的频率，幅值便可达到调频调幅输出，逆 变输出为串联谐振式输出，将高频载波信号滤掉，从而得到所需频率的正弦信号。时序控制 电路用来控制功率源供电电源在上电时缓慢上电，确保电源上电时电流平稳，同时还避免非 过零点开关带来的冲击；在控制电路中还设计了故障锁定功能，一旦电源故障，锁定功能将 禁止开通 IGBT，当故障出现时，IGBT被锁点开通，这时大容量滤波电容会储存很高的电能。 所以，电源部分有故障保护自动切断工作电源和自动放电功能，整机设计有双重过流、过压 和过热等完善的保护功能。 3 控制与驱动电路 控制电路指主控电路，包括正弦脉宽调制波的产生，占空比调节和故障锁定电路。控制 电路的正弦调制波，可根据实际应用情况调节其频率。驱动电路则采用三菱公司生产的 IGB T 专用驱动模块 EXB840，该驱动模块能驱动高达 150A／600V和 75A／1200V 的IGBT，该模 块内部驱动电路使信号延迟≤1μs，所以适用于高达 40kHz 的开关操作。用此模块要注意， IGBT 栅射极回路接线必须小于 1M，栅射极驱动接线应当用绞线。EXB840 的驱动电路如图 2 所示。 4 逆变与缓冲电路 该电源采用半桥结构串联谐振逆变电路，主电路原理如图 3 所示。在大功率 IGBT 谐振 式逆变电路中，主电路的结构设计十分重要，由于电路中存在引线寄生电感，IGBT 开关动 作时在电感上激起的浪涌尖峰电压 Ldi／dt 不可忽视，由于本电源采用的是半桥逆变电路， 相对全桥电路来说，将产生比全桥电路更大的 di／dt。正确设计过压保护即缓冲电路，对 I GBT 的正常工作十分重要。如果缓冲电路设计不当，将造成缓冲电路损耗增大，会导致电路 发热严重，容易损坏元件，不利于长期工作。 过程是：当 VT2 开通时，随着电流的上升，在线路杂散电感 Lm 的作用下，使得 Uab 下 降到 Vcc－Ldi／dt，此时前一工作周期以被充电到 Vcc 的缓冲电容 C1，通过 VT1 的反并联 二极管 VD1、VT2 和缓冲电阻 R2 放电。在缓冲电路中，流过反并联二极管 VD1 的瞬时导通电 流 ID1 为流过线路杂散电感电流 IL和流过缓冲电容 C1 的电流 IC 之和。即 ID1＝IL＋IC， 因此 IL 和 di／dt 相对于无缓冲电路要小得多。当 VT1 关断时，由于线路杂散电感 Lm 的作 用，使 Uce 迅速上升，并大于母线电压 Vcc，这时缓冲二极管 VD1正向偏置，Lm 中的储能（L mI2／2）向缓冲电路转移，缓冲电路吸收了贮能，不会造成 Uce 的明显上升。 5 缓冲元件的计算与选择 式中：f—开关频率；Rtr—开关电流上升时间；IO—最大开关电流；Ucep—瞬态电压峰 值。 在缓冲电路的元件选择中，电容要选择耐压较高的电容，二极管最好选择高性能的快恢 复二极管，电阻要用无感电阻。 6 结束语 该电源已经成功地应用于大功率电力测试仪器，与传统方法相比，不仅测量精度高，而 且提高了工作效率，增加了工作安全性，降低了劳动强度。