第4讲 元器件 计算机硬件维修 教学课件.ppt

2. 半导体分立器件 　半导体分立器件主要指二极管、三极管及半导体特殊器件。 二极管以应用领域分类； 三极管以功率、频率分类； 晶闸管以特性分类； 场效应管按结构特点来分类。 2.1 二极管 1.二极管的分类　　半导体二极管是用半导体材料制成的具有单向导电特性的二端元件，简称二极管。如图1-32所示。　　按其制造材料的不同分，有硅管和锗管两大类。两者性能区别为：锗管正向压降比硅管小（锗管为0．2V，硅管为0．7～0．8V）；锗管的反向漏电流比硅管大（锗管几百微安，硅管小于1μA）；锗管的PN结可承受的温度比硅管低（锗管约为100℃，硅管约为200℃）。　　按其结构分，有点接触型二极管和面接触型二极管。　　按其用途分，有检波、整流、稳压二极管，桥式整流组件，硅堆，开关、发光、光电、变容、隧道二极管等。 　　 2. 二极管的主要参数　　常用的检波、整流二极管，主要有以下几个参数。　　①最大整流电流 晶体二极管连续工作时，允许正向通过PN结的最大平均电流用Icm表示。如电路电流大于此值，可使PN结温度超过额定值（锗管为80℃、硅管为170℃）而损坏。　　②最大反向电压 反向加在二极管两端，而不致引起PN结击穿的最大电压，用Urm表示。如实际工作电压的峰值超过此值，PN结中的反向电流将剧增而使整流特性变坏，甚至烧毁二极管。　　③最大反向电流 因载流子的漂移作用，二极管截止时仍有反向电流通过PN结，该电流受反向电压影响。当反向电压为URM时，反向电流即为最大，用IRM表示。二极管的IRM越小，质量越好。　　④击穿电压 加在二极管两端的电压急剧增大，使反向电流也急剧增大。当反向电流击穿PN结时的反向电压，即为击穿电压，用UB表示。UB一般为URM的2倍。 　　 3. 常用二极管型号和选用　　①检波二极管 检波二极管是利用PN结伏安特性的非线性，把叠加在高频信号上的低频信号分离出来的一种二极管。常用的检波二极管有2AP1～2AP17等型号。　　选用检波二极管主要是考虑工作频率高，结电容小，串联电阻小，正向上升特性好，反向电流小。所以往往是选用硅、锗点接触二极管或肖特基势垒二极管。　　②整流二极管 整流二极管是利用PN结的单向导电性，把电路中的交流电流转变为直流电流的一种二极管。是一种大面积的功率器件，结电容大，工作频率较低，一般在几十兆赫兹。　　电流容量在1A以下的有2CP系列，1A以上的有2CZ系列。 　　 4. 小功率二极管的检测方法（1）判别正、负电极　　①观察外壳上的符号标记。如图1-33所示，通常在二极管的外壳上标有二极管的符号，带有三角形箭头的一端为正极，另一端则为负极。　　②观察外壳上的色点。在点接触二极管的外壳上，通常标有极性色点（白色或红色）。一般标有色点的一端即为正极。还有的二极管上标有色环，带色环的一端则为负极。　　③观察玻璃壳内触针。对于点接触二极管，如果标记已模糊不清，可以将外壳上的黑色或白色漆层轻轻刮掉一点，透过玻璃观察二极管的内部结构，有金属触针的一端就是正极。 　　 （2）鉴别质量好坏 检测方法如图1-35所示。将万用表置于R×100或R×1k挡，测量二极管的正反向电阻值，完好的锗点接触型二极管（如2AP型）正向电阻在1kΩ左右，反向电阻在300kΩ以上。硅面接触型二极管（如2CP型）的正向电阻在7kΩ左右，反向电阻为无穷大。总之，二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。若测得的正向电阻太大或反向电阻太小，都表明二极管的检波与整流效率不高。如果测得正向电阻为无穷大，说明二极管的内部断路；若测得的反向电阻接近于零，则表明二极管已经击穿。内部断路或击穿的二极管都不能使用。 　　 （3）检测最高工作频率fM 晶体二极管的最高工作频率，除了可从有关特性表中查出外，实用中常常用眼睛观察二极管内部的触丝来加以区分，如点接触型二极管属于高频管，面接触型二极管多为低频管。另外，也可以用万用表及R×1k挡进行测试，一般正向电阻小于1kΩ的多为高频管。有条件者，还可将待测二极管与晶体管收音机中的检波管替换一下进行试验，能使收音机正常收音的则是高频二极管。高频二极管的工作频率一般都在几十兆赫兹以上。 （4）检测最高反向击穿电压URM 对于交流电来说，因为电流正、反向不断变化，因此最高反向工作电压也就是二极管承受的交流峰值电压。需要指出的是，最高反向工作电压并不是二极管的击穿电压。一般情况下，二极管的击穿电压要比最高反向工作电压高得多（约高一倍左右） 2.2 三极管 　　1. 三极管的分类　　根据材料的不同，三极管可分为锗三极管、硅三极管；按PN结组合不同可分为NPN三极管、PNP三极管；从结构上的不同可分为点接触型和面结合型；按工作