GaAsAlGaAs 高電子遷移率電晶體結構之巨大磁電阻效應臺北市立第一女子.pdfVIP

GaAs/AlGaAs 高電子遷移率電晶體結構之巨大磁電阻效應 物理科 二等獎 研究計畫名稱 GaAs/AlGaAs 高電子遷移率電晶體結構 之巨大磁電阻效應 就讀學校 臺北市立第一女子高級中學 學 生 羅世芸 指導老師 梁啟德、黃克雄 127 臺北市 97 年度中等學校學生科學研究獎助計畫 摘要 高電子遷移率電晶體結構 (high electron mobility transistor, HEMT)為高遷移率的非磁性物 質組成的異質結構，具低雜訊和低電阻率的特性，而使實驗在測量上數據更精準。在前述的 磁阻發展背景下，GaAs/AlGaAs 高電子遷移率電晶體結構同時具有巨大磁阻效應與 HEMT 的 特質，而深具研究潛能。因為發現以非磁性物質所組成的異質結構在磁阻的應用上有突破性 的特質，所以深入探討此樣品在 MR 方面的各方位特性。 本研究主要結論有下列五點： 一、室溫下受限儀器磁阻效應不顯著： 二、在低溫下(T80 K)觀察到正磁阻效應： 三、正磁阻效應可由加大電流來增加： 四、加大電流之正磁阻效應可能由熱電子效應產生：  五、低溫 XX 與 XY 方向電阻出現量子效應：  128 GaAs/AlGaAs 高電子遷移率電晶體結構之巨大磁電阻效應 壹、研究動機 磁阻(MR)在生活中有許多應用，邏輯元件(logic elements)、磁性感應(magnetic sensors)、讀取與儲存(magnetic recording and storage devices)，例如：讀頭(read head）、開 關等。 不過，隨著奈米科技的蓬勃發展，這些裝置都有漸小的趨勢；這時一般的構築成 份：鐵磁性物質因為磁雜訊(magnetic noise)與自旋矩雜訊(spin torque noise)，會造成測 量時訊號受到干擾：就一個 read head device 而言，當其尺寸小於 50nm 時，此現象即 開始顯現，而實用性也跟著大大降低──因此這時非磁性物質的 MR 現象便顯得值得 研究。 而所謂的高電子遷移率電晶體結構 (high electron mobility transistor, HEMT)為高遷 移率的非磁性物質組成的異質結構，具低雜訊和低電阻率的特性，而使實驗在測量上 數據更精準。在前述的磁阻發展背景下，GaAs/AlGaAs 高電子遷移率電晶體結構同時 具有巨大磁阻效應與 HEMT 的特質，而深具研究潛能。 貳、研究目的及研究問題 因為發現以非磁性物質所組成的異質結構在磁阻的應用上有突破性的特質，所以 深入探討此樣品在 MR 方面的各方位特性可能有突破性的發現；除了舊應用上可能發 展出可取代現有磁性磁阻物質的電晶體性質外，學術方面也可深入了解 GaAs/AlGaAs 高電子遷移率電晶體結構的 MR 效應：除了基本的磁阻效應，還有利用其他理論探討 磁阻在不同條件的特性。並討論其他的特殊性質，或者另外具獨立特性的發現，如: 在低溫量子效應顯著下垂直方向的電阻有隨特定磁場呈自然數倒數倍的關係。並且在 測量的過程中，