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2010.10.11 近況與實驗進度報告 量測實驗 用So-gel和濃縮機製做BIT薄膜來探討兩種製程的優異。 用濃縮機製做BIT薄膜，用低溫焦化100 ℃、110 ℃、 120℃10分鐘和350℃10、20、30分鐘來探討溫度對薄膜的影響。 做BIT粉末，之後用Sputter鍍BIT薄膜。 Paper閱讀 Low temperature synthesis and ferroelectric properties of La substituted Bi4Ti3O12 thin films by sol–gel Mechanically activating formation of layered structured bismuth titanate 硝酸鉍 乙二醇 醋酸 在90℃，混合30分鐘；回流70℃，混合20分鐘 異丙酮鈦 在90℃，混合30分鐘；回流70℃，混合20分鐘 在90℃，混合60分鐘；回流70℃，混合20分鐘 旋塗 焦化 XRD 使用濃縮機製作BIT薄膜 一次焦化 100℃ 5分鐘 (210) (208) (218) (115) (211) (117) (111) Intensity(arb.unit) Sogel 濃縮機 1540 1566.67 轉速 4000RPM (210) (208) (218) (115) (211) (117) (111) Intensity(arb.unit) 一次焦化 100℃ 10分鐘 二次焦化 350℃ 10、20、30分鐘 轉速 4000RPM (210) (208) (218) (115) (211) (117) (111) Intensity(arb.unit) 一次焦化 110℃ 10分鐘 二次焦化 350℃ 10、20、30分鐘 轉速 4000RPM (210) (208) (218) (115) (211) (117) (111) Intensity(arb.unit) 一次焦化 120℃ 10分鐘 二次焦化 350℃ 10、20、30分鐘 轉速 4000RPM (210) (208) (218) (115) (211) (117) (111) Intensity(arb.unit) 1666.67 1500 1226.67 一次焦化 100℃、110℃、120℃ 10分鐘 二次焦化 350℃ 20分鐘 轉速 4000RPM (210) (208) (218) (115) (211) (117) (111)
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