现代电子线路01半导体性质-1.pptVIP

* 。因为BJT在放大状态工作时，集电结上的反偏电压（直流电压+交流电源）是变化的，则集电结的势垒厚度也将随着变化，这就会导致基区宽度发生变化；这种由集电结电压而引起基区宽度发生变化的现象，最早是由Early提出并加以说明的，故称为Early效应（爱里效应），又称为基区宽度调制效应。（注意：Early效应不能译成“欧拉效应”，欧拉是古代数学家！） * * * 第二章 No.* ⑴、采用电子束蒸发或溅射的方法淀积Al-Si合金或Al-Si-Cu(4%)合金，Si的含量应使它在金属铝中饱和。用Al-Si合金有利于解决电迁移现象，防止铝条断裂；加4%的Cu有利于提高金属化层的功率容限，进一步减少电迁移现象； ⑵、光刻7，刻蚀Al-Si金属化层，形成集成电路最后互连； ⑶、合金：目的是使Al-Si金属化引线与接触孔处的硅形成良好的欧姆结。在N2-H2气氛中，450℃，20～30分钟。 13、金属化，光刻7 14、钝化 15、开压焊孔，光刻8 16、压焊、封装和测试 由于Al-Si金属化已形成，最后钝化工艺步骤的温度不应超过Al-Si共晶点温度（577℃）。用等离子增强化学汽相淀积（PECVD）Si3N4钝化膜，一般淀积温度≤300℃，以不致于影响已形成的集成电路和金属互连。 将压焊点上的钝化层去掉，以便使芯片可与封装管壳形成电连接。 本章节主要介绍半导体器件的基本机理，内容比较抽象。 * 半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的一类物质。电子电路的所以集成都是基于半导体器件特性展开。 * 下面我们来看看，常见半导体的结构是怎样的？ * 半导体根据其晶体结构是否纯净可以分为本征半导体和杂质半导体。其中纯净无杂质而且结构非常完整的单晶半导体称为本征半导体。由于实际中很难实现理想的本征半导体，因此工程上常把杂质浓度非常低的单晶半导体称为本征半导体。硅原子序数18，锗原子序数32，他们的价电子都是4个，因此都是四价元素。由于价电子数目相同，他们的导电性能非常相似，都是半导体。 * * 晶体结构其实也就可以体现其一些特殊性能 * 由于空穴带正电，所以它也是带电粒子，因此，半导体内有电子和空穴两种载流子。 * 外界获得能量，加点字就会挣脱共价键的苏福成为自由电子，在共价键中留下一空穴，这个自由电子又回去填补其它空穴。电子填补空穴的运动相当于带正电话的 空穴在运动，空穴越多，半导体的载流子数模就越多，形成的电流就越大。 * 根据掺入的杂质不同，杂质半导体可以分为N型半导体和P型半导体。 * 带负电荷而成为不能移动的负离子，因此三价杂质原子也称为受主杂质（acceptor impurities）。 * 失去一个电子的磷原子成为正离子，得到一个电子的硼原子成为负离子 * PN结是最简单的半导体器件。 * PN结的形成 * 交界面形成载流子的浓度差，在浓度差的作用下载流子将做扩散运动。P区的空穴向N区扩散，并与N区的电子相遇而复活，从而在交界面的P区一侧显露出负离子；同时， 在交接界面两侧区域内形成了等量的正负离子，由于离子不能移动，称其为空间电荷。当多子的扩散运动和少子的漂移运动达到动态平衡时通过交界面的净载流子数目为零。 * PN结内部载流子会在扩散运动和漂移运动中形成动态平衡，那么如果在PN结两端加上电场，那么其中载流子的运动又会发生怎样的变化呢？ * PN结的伏安特性 * 从伏安特还可以看到，温度对特性有明显影响。这是因为Is与温度密切相关的数字载流子形成的缘故。一般认为，温度升高10度，is约增加1倍。 * 根据PN结发生击穿的机理可以分为。。。击穿后反向电流变化范围很大，但是击穿电压基本不变，利用这一特性可以制作稳压二极管。应用时，只需要把反向击穿电流限制在安全范围内即可。 pn结击穿是pn结的一个重要电学性质，击穿电压限制了pn结的工作电压，所以半导体器件对击穿电压都有一定的要求。但利用击穿现象可制造稳压二极管、雪崩二极管和隧道二极管等多种器件。 * 从结构上来看，PN结两侧有等电荷量的符合相反的离子吗，中间空间电荷层是阻挡层，类似于平板电容的结构。PN的电容效应,由势垒电容和扩散电容两种。势垒电容与外加电压密切相关。非线性电容，其值为几皮法到几十皮法之间。PN结的电容效应限制了二极管三极管的最高工作效率，PN结的电容效应将导致反向时交流信号可以部分通过PN结，频率越高则通过越多。 * 外加正偏压时，以扩散电容为主；外加反偏电压时，以势垒电容电容为主。PN结的电容效应使得PN结在高频应用时的单向导电性变坏，限制了其高频应用。 * 二极管是在在PN结上加上引线和封装，就成为一个晶体二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。因此，其PN结的静电容量小，