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- 2018-01-28 发布于江西
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第 四 节 离子晶体的点缺陷及导电性 本节主要内容: 7.4.1 离子晶体的点缺陷 7.4.2 离子晶体的导电性 §7.4 离子晶体的点缺陷及导电性 7.4.1 离子晶体的点缺陷 本节我们讨论热缺陷在外力作用下的运动。对于离子晶体而言,离子导电性就是由于热缺陷在外电场作用下的运动引起的。 在此,我们只讨论典型的A+B-离子晶体,如图所示。 正空格点 离子晶体中的缺陷 正填隙离子 负空格点 + + + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - - 负填隙离子 晶体中有四种缺陷,A+填隙离子, A+空位,B-填隙离子和B-空位。由于整个晶体是保持电中性的,因此,对于其中的肖特基缺陷,正负离子空位的数目是相同的; 对弗仑克尔缺陷则含有相同数目的正、负离子空位和正、负填隙离子。 正空格点 离子晶体中的缺陷 正填隙离子 负空格点 + + + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - - 负填隙离子 7.4.2 离子晶体的导电性 a (a) E2 (b) (a)填隙离子沿虚线运动; (b)无外场; (c)有外电场ε。 在没有外电场时,这些缺陷作无规则的布朗运动,不产生宏观的电流。 当有外电场存在时,这些缺陷除作布朗运动外,还有一个定向的漂移运动,从而产生宏观电流。正负电荷漂移的方向是相反的但是由于电荷异号,正负电荷形成的电流都是同方向的。 (c) 假设 分别代表i种热缺陷的浓度和漂移速度,则四种缺陷总的电流密度为: 假定各热缺陷的运动是独立的,我们先考虑一个A+填隙离子在外电场作用下的运动情况。 当没有外力存在时,填隙离子沿图(a)中虚线运动,它在各个位置上的势能是对称的,填隙离子越过势垒向左或向右运动的概率是一样的。 即运动是布朗运动。 填隙离子向左、右两边跳跃的概率分别为: 当沿x方向加电场ε时,一个正的填隙离子将在原来的离子势能上叠加电势能 ,势能曲线变成图(C)所示的情况,这时势能不再是对称的。 填隙离子左端的势垒增高了 , 填隙离子右端的势垒却降低了 ,
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