孙星宇翻译精选.doc

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孙星宇翻译精选

电容特性对染料敏化太阳电池的I—V测量的影响 Hanmin Tiana,b,Jiyuan Zhanga,c,Xiangyan Wanga,c,TaoYua,c*,Zhigang Zoua,c 摘要:基于等效电路和参数估计上做定量的分析来看,我们认定DSSCs的电容特性引发了测量效率的起伏波动。在一个具有晶体结构、微粒大小和I-V曲线的典型染料太阳能电池中估算等效电路,在电容和被测量的I-V曲线之间给出定量分析和相应的公式表达,并提出在一个合适的范围内通过快速浏览来精确测量DSSC的转换效率。传统的测量方法仅仅局限于对染料敏化太阳电池的测量(DSSC)。实验表明,在这种测量方法中浏览速度极大的影响了DSSC的效率值,在Si电池中从来没发现过这样大的影响。 关键词:染料敏化太阳电池;等效电路;伏安特性;电容特性 引言 染料敏化太阳电池(DSSC)拥有理想的低价格以及与传统的硅光电池相比之下更为简单的制造过程,所以它作为最有前景的太阳能电池被深入的研究[1.2]。研究人员为了这种电池的实用性在不断努力提高DSSCs的能量转换效率,并且全球内转换效率最高记录在最近几年中获得了显著的增长[3.5]。 为了准确计算不同组内的效率,对DSSCs效率的测量方法规定一个统一的程序,就好比美国材料与试验协会(NCS)2。电解液由0.6M的PMII, 0.1M的 I2, 和MPN溶剂为 0.45M的 NMBI容易组成。硅光电池在台湾的Young Strong公司用于商业生产。 I-V曲线是用太阳模拟器(92251A,ASTM,甲级太阳能模拟器,奥瑞尔仪器公司)的辐射(0.1W/cm2,AM1.5)下用一个源测量单元(模型236,吉时利仪器公司)获得的。 3 结果与讨论 3.1被测量的I-V 曲线与测量速度之间的关系 通过 SEM (LE0 1530, LEO公司), TEM (JEM 1010, JEOL公司) 和 XRD (D/Max-lll, RigaKu公司)的表征来看,证实获得了一个具有典型标准结构的染料敏化太阳能电池。SEM表明带有多孔结构的二氧化钛晶体颗粒组成了工作电极,如图1a所示。TEM(图1b)和XRD(图1c) 全都表明TiO2是良好的结晶体。XRD显示出这些晶体颗粒主要由平均尺寸为31 nm的锐钛和少量平均尺寸为24nm的金红石组成。 图1 DSSC的SEM、TEM和XRD的表征 DSSC的I-V曲线如图2所示。我们发现在不断改变偏置功率供给下DSSC的I-V曲线发生戏剧性的变化,然而这种变化在硅光电池中是没有迹象显示的。(图3)通过Td,Tm,和△V来表述逐步改变偏置功率供给,如图4所示。Td,Tm,△V分别表示抽样延迟时间,测量集成时间和步源级。浏览速度可以通过△V/Tm+Td这个表达式来获得[12]。当Td减小,浏览速度增加。如图2所示,当Td从200ms减小到0ms时,测量出DSSCs的能量转换效率增加65%。测量出DSSCs的Voc同样从0.55V增加到0.85V,然而测量出DSSCs的Isc并没有任何的改变。我们发现浏览速度△V/Tm+Td显著的影响测量值的大小。当浏览速度太快时,测量出DSSCs的光电转换效率比在稳定工作状态时要高出很多。改变△V同样也可以调节浏览速度,并且得到的结果与改变Td时的结果相似,浏览速度越快,测量效率η就越高。 图2 在不同速度下DSSC的I-V曲线的测量图 图3 在不同速度下硅光电池的I-V曲线测量图 图4 逐步改变偏置电压的供给。Td、Tm和△V分别抽样延迟时间,测量集成时间和步源级 3.2 I-V测量曲线上电容特性的相关推导公式 显然的,电容特性被认为与扫描方向测量出的光电流和抽样延迟时间相关[10],Td的改变影响DSSCs的产量,同样这种影响透漏出与时间的相关性。DSSCs的电容特性与时间相关不可能超过硅光电池,所以DSSCs的电容在它的I-V曲线测量结果上的影响正在这里被仔细分析研究。 图5 DSSC的等效电路 DSSCs中TiO2/染料/电解质界面的电容为mF/cm2[13-15],这样就形成了双充电层,在多孔半导体和DSSCs的电解质的界面上[6,16-18],同样的在硅光电池的p-n结处的电容为μF/cm2[19]。形成于它的交界面处的电容,但是由于极其微小而被忽视[20-21]。因此,电容特性在DSSCs与硅光电池等效电路的比较中扮演一个重要的角色[22,23],如图5所示。等效电路的模型大量调查研究为了分析涉及太阳能电池的电气过程[24-27]。我们计算出等效电路中电容对I-V曲线的影响。结果证实电容特性导致在不同浏览速度中I-V曲线测量结果的不同。推导过程如下: 基于等效电路,根据基尔霍夫定律推出例(1)-(3)I(t)=ICs(t)+I

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