光电检测器与光接收机PPT.ppt

第六章 光电检测器与光接收机; 光发送机输出的光信号，在光纤中转输时，不仅幅度会受到衰减，而且脉冲的波形也会被展宽。 光接收机的任务是以最小的附加噪声及失真恢复出由光纤传输、光载波所携带的信息，因此光接收机的输出特性综合反映了整个光纤通信系统的性能。 本章重点讨论光检测器、接收机前端的噪声特性、模拟及数字接收机的性能，如信噪比或误码率、接收机灵敏度等。;6.1 光电检测器;6.1.1 PIN光电二极管 由于受激辐射仅仅发生在PN结附近，远离PN结的地方没有电场存在，因此就决定了PN光电二极管(PN Photodiode，PNPD)或PN光电检测器的光电变换效率非常低下及响应速度很慢。 1. PIN光电二极管的结构 PIN光电二极管(PINPD)的结构及场强分布如图6.1所示。;图6.1 PIN光电二极管结构及场强分布; 然而，在耗尽层以外的区域因为没有电场作用， 所以由光电效应产生的电子空穴对，在扩散运动中相遇发生复合，从而消失。 不过在扩散运动过程中，也有些扩散距离长的电子空穴将进入耗尽层，在耗尽层和空间电场的作用下进入对方区域。于是在P区和N区两端之间产生与被分隔开的电子和空穴数量成正比的电压。 若与外电路连通，这些电子就可经外部电路与空穴复合形成电流。如图6-2所示。 ;;;6.1.2 雪崩光电二极管 雪崩光电二极管应用光生载流子在其耗尽区(高场区)内的碰撞电离效应而获得光生电流的雪崩倍增。 1. 雪崩光电二极管的结构 雪崩光电二极管(APD)的的结构与PIN—PD不同表现在增加了一个附加层，以实现碰撞电离产生二次电子—空穴对，在反向时夹在I 层和N层间的P层中存在高电场，该层称为倍增区或增益区（雪崩区）,耗尽层仍为I层，起产生一次电子—空穴对的作用。 ;;图6-3 APD的结构; （1）Si-APD最典型的结构是拉通型RAPD如图6-4所示，有四层结构： 高掺杂的N+型半导体，为接触层； P型半导体，为倍增层（或称雪崩区）； 轻掺杂半导体 π层，为漂移区（光吸收区）； 高掺杂的P+型半导体，为接触层。 ;; （2）Ge-APD更多的是采用吸收区与雪崩倍增区相互分离的APD管，这种APD管称为SAM-APD。 SAM-APD管的结构如图6-5所示，有四层结构： 高掺杂的N+型半导体，为接触层； P型半导体，为倍增层（或称雪崩区）； 轻掺杂半导体I层，为漂移区（光吸收区）； 高掺杂的P+型半导体，为接触层。 ;;2. APD的工作原理 下面分析SAM-APD管的工作原理： （1）SAM-APD管有四层结构：高掺杂的N+型半导体，为接触层； P型半导体，为倍增层（或称雪崩区）；轻掺杂半导体I层，为漂移区（光吸收区）；高掺杂的P+型半导体，为接触层。如图6-6所示。;;;;; (4)入射光功率产生的电子空穴对经过高场区时不断被加速而获得很高的能量，这些高能量的电子或空穴在运动过程中与价带中的束缚电子碰撞，使晶格中的原子电离，产生新的电子空穴对。 新的电子空穴对受到同样加速运动，又与原子碰撞电离，产生电子空穴对，称为二次电子空穴对。 如此重复，使强电场区域中的电子和空穴成倍的增加，载流子和反向光生电流迅速增大，产生雪崩现象, 这个物理过程称为雪崩倍增效应。如图6-9所示。;;;;综合上面分析，SAM-APD管的工作原理如图6-11所示。;SAM-APD管的工作原理分析： ;;;6.2 光电检测器的特性指标; 式中：Ip为光生电流的平均值(单位：A)；P为平均入射光功率值(单位：W)。;2. 量子效率 响应度是器件在外部电路中呈现的宏观灵敏特性，而量子效率是器件在内部呈现的微观灵敏特性。量子效率定义为通过结区的载流子数与入射的光子数之比，常用符号η表示：; 式中：e是电子电荷，其值约为1.6×10-19G；ν为光频。η与ρ关系可以表示为：; 式中：h是普朗克常数，c是光在真空中的速度,λ是光电检测器的工作波长。代入相应数值后，可以得到： 从式(6-4)中可以看出：在工作波长一定时，η与ρ具有定量的关系。;3. 响应速度 光电二极管的响应速度是指它的光电转换速度。 4. 暗电流 暗电流主要由体内暗电流和表面暗电流组成。;5. APD的倍增因子 APD的电流增益，即平均倍增因子M可表示为： 式中：Ip为APD倍增后的光生电流；Ip0是未倍增时的原始光生电流。若无倍增时和倍增时的总电流分别为I1和I2，则应扣除当时的暗电流Id1和Id2后才能求出M。;6. 光电检测器的噪声 光电检测器的噪声包括