氧化-微电子制造技术PPT.ppt

二氧化硅的应力 二氧化硅的应力会使硅片翘曲并且有可能产生层状缺陷，测量热氧化膜的应力发现，它是收缩的并且有着相对较小的数值。氧化膜的应力是由于Si和SiO2的热胀冷缩系数不同造成的。 氧化诱生堆垛层错 无论干氧还是湿氧都会在Si和SiO2之间的界面处形成氧化诱生堆垛层错（OISF）。OISF是造成Si/SiO2界面氧化不完全的原因，这将导致此区域中过多的硅空隙。如果堆垛层错在pn结附近，将会导致漏电流的增加。 由于氯在硅表面将提供空位形成，所以掺氯的热氧化会明显减小OISF，这就提供了一种清除过多硅空隙的手段。 高温炉设备 本节将介绍有关高温炉设备的基本慨况，因为该设备在硅片制造中用途较多，比如热生长氧化物、扩散式掺杂、离子注入后的退火、各种淀积膜、玻璃体的回流、硅化物膜的形成等都会用到。用于热工艺的基本设备有三种： 卧式炉 立式炉 快速热处理 (RTP) 卧式炉是用于硅片制造的第一代设备，90年代被立式炉替代，原因是立式炉更容易实现自动化生产。RTP是小型的快速加热系统，不能用于批量生产，通常一次只能处理一片硅片。 卧式炉和立式炉系统性能比较 Table 10.3 卧式扩散炉 Photo 10.1 特点 氧化速率较慢，氧化物结构致密，表面是非极性 Si－O 烷结构；与光刻胶黏附能力良好，不易产生浮胶现象。 湿氧 当反应中有水汽参与，氧化反应速率会明显加快。其氧化反应式为： Si(固)+2H2O(水汽) SiO2(固)+2H2(气) 对于湿氧氧化，用携带水蒸气的氧气替代干氧作为氧化气体。在氧化过程中，湿氧反应会产生一层二氧化硅膜和氢气，氧化速率较干氧高，原因是水蒸气比氧气在二氧化硅中的扩散系数更快、溶解度更高。然而反应生成的氢分子会束缚在固态的二氧化硅层内，这使得氧化层的密度比干氧小。通常通过在惰性气氛中加热氧化来改善，以得到与干氧生长相类似的氧化膜结构和性能。 氧化过程中硅的消耗 无论是干氧或者湿氧工艺，二氧化硅的生长都要消耗硅。如图10.8所示。硅消耗的厚度占氧化物总厚度的0.46，就是说每生长1000?的氧化物，就有460?的硅被消耗。 硅片表面一旦有氧化物的生成，它将阻碍氧原子与硅原子的接触。所以其后的继续氧化（氧化物的增厚）是氧原子通过扩散，穿透已生长的氧化层向内运动，抵达SiO2-O2的界面进行反应。 氧化的过程也是气体穿过固态阻挡层扩散的过程，所以硅片制造厂中进行氧化的工作间仍被称为扩散区。 t 0.55t 0.45t Before oxidation After oxidation Figure 10.8 氧化中硅的消耗 SiO2-O2界面 在单晶硅到无定形SiO2间的Si/SiO2界面上存在着突变。大家知道，在SiO2分子中，每个硅原子和四个氧原子键合，每个氧原子和两个硅原子键合。但在Si/SiO2界面上有些硅原子并没有和氧原子键合（见图10.10） 距Si/SiO2界面2nm以内的硅不完全氧化是带正电荷的固定氧化物电荷区。除此之外界面处还存在一些包括界面陷阱电荷、可移动氧化物(mobile oxide charge)电荷。 Oxygen Silicon Positive charge Silicon SiO2 Figure 10.10 Si/SiO2 界面的电荷积累 (可动离子电荷) (氧化层陷阱电荷) (氧化层固定电荷) (界面陷阱电荷) 带有可动电荷、固定电荷和界面态的 Si-SiO2 结构 前者是由结构缺陷、氧化诱生缺陷或者金属杂质引起的正的或负的电荷组成，后者是由可动离子沾污引起的。在远离界面氧化物体内，也可能有正的或负的、氧化物陷阱电荷。 对于器件的正常工作，界面处的电荷堆积是不受欢迎的，因为它会导致MOS器件的阈值电压变得无法控制。 通过在氢气或氢－氮混合气中低温(450℃）退火处理可以减少这种不可接受的电荷。 氯化物在氧化中的应用 在氧化工艺中用含氯的气体可以有效降低界面处电荷积累，原因是氯离子能扩散进入正电荷层，并形成中性层，起到固定（称为俘获）来自炉体、工艺原材料和处理过程带来的可动离子沾污。 通常氯化物浓度保持在3％以内，负责过多的氯化物离子将引起器件性能的不稳定。 在热氧化工艺中加入氯化物的另一个重要的优点是它们能够使氧化速率提升10％～15％。 通常使用的是氯气或气态的氯化氢(HCL),氯气有剧毒，HCL气体混合水蒸气有腐蚀性。 研究分析表明，在O2气氧化的同时，氯结合到氧化层中，并集中分布在SiO2/Si界面附近。掺氯氧化有如下作用： 可吸收、提取硅中的有害杂质。这是因为高温下氯可以和包括钠