5第五章 氧化.pptVIP

第五章 氧 化 概述 硅表面SiO2的简单实现，是硅材料被广泛应用的一个重要因素。本章中，将介绍SiO2的生长工艺及用途、氧化反应的不同方法，其中包括快速热氧化工艺。另外，还简单介绍本工艺中最重要的部分---反应炉，因为它是氧化、扩散、热处理及化学气相淀积反应的基本设备。 5.1 二氧化硅的性质、用途 在半导体材料硅的所有优点当中， SiO2的极易生成是最大的优点之一。当硅表面暴露在氧气当中时，就会形成SiO2 。 氧化部分习题课 类型一、已知氧化条件，求氧化层厚度。 类型二、已知氧化条件和初始氧化层厚度，求硅表面的台阶高度。 类型三、已知扩散条件，求最小掩蔽层厚度。 5.8高压氧化 增加氧化剂分压提高氧化速率前面已经提到，在实际的工艺过程中增加氧化剂分压来提高氧化速率，或者降低氧化温度而保持同样的氧化速率都是经常采用方法。因为温度越高时间越长越会引起其它负面影响，比如，晶园表面层中“错位”和温度及高温下 的时间密切相关，而 这种错位对器件特性 是很不利高温氧化系 统如图所示。 氧化杂质 特定的杂质，特别是氯化氢(HCl)中的氯，若氧化环境中含有氯，它将影响氧化生长速率，实践证明在有氯化氢的情况下，生长速率可提高1%～5%。 不均匀的氧化率及氧化步骤 经过一些制作工艺后，晶园表面的条件会有所不同，有的是场氧化区，有些是掺杂区，有些是多晶硅区等等。每个区上面氧化层厚度不同，氧化层厚度的不同被称为不均匀氧化。 不同的氧化率导致了在晶 圆表面形成台阶(见图) 。 图中显示的是与比较厚的 场氧化区相邻的氧化区形 成了一个台阶，在暴露区 的氧化反应较快。 5.3 热氧化方法 从氧化反应方程式可以看出，氧和硅的反应似乎很简单，但是要达到硅技术中的氧化必须附加条件，那就是加热，给反应过程足够的能量使其满足要求，所以常称之为热氧化。 通常在常压或高压条件下生长。有两种常压技术，炉管反应炉和快速氧化系统。如图所示。 5.4 水平炉管反应炉 最早使用也一直延续至今。主要用在氧化、扩散、热处理及各 种淀积工艺中。 水平炉管反应炉 的截面图如下： 整个系统包含 反应室、温度 控制系统、反 应炉、气体柜 、清洗站、装 片站等。 5.4.1反应室 系统的重要部件，保护晶圆不受外界污染，并且使炉管中的温度均匀。反应室是圆形的，有个气体入口和装片入口。 传统的制造反应室的材料是高纯度的石英。由于石英在高温时的稳定性和洁净度，深受高纯玻璃的喜爱。 缺点是易脆性和一些金属离子的存在。钠离子可以从加热线圈进入到反应室。 另一个缺点是在1200 ℃时，易破碎，易松弛。破碎叫做钝化，会产生一些碎片掉到晶圆表面。松弛会阻止晶圆承载器很容易地进出炉管。 石英炉管需要定期清洗。一种方法是把它放入氢氟酸或盛有氢氟酸与水的混合溶液的槽里。这个清洗工艺应在洁净室外进行，炉管应被拆下并已充分冷却。冷却或加热会加速钝化过程。 氢氟酸清洗可以去掉一薄层的石英。不断的刻蚀最终会减弱炉管的壁厚。因此，石英的使用寿命是有限的。 可以用等离子发生器进行在线炉管清洗。把等离子发生器放在炉管中以产生刻蚀气体，并使之进入炉管中。氨气和刻蚀气体可以去除污染。 第二种在线清洗方法可以在炉管中产生等离子气体。这种方法更适用于化学气相淀积工艺，该工艺颗粒比氧化工艺产生的要大。 另一个石英炉管和晶圆承载器的替代材料是碳化硅。碳化硅结构非常硬，并且经过多次加热和冷却后，不易破碎。这种冷热循环的不敏感性，使得它成为一个好的金属离子阻挡器。在一些有氧气的工艺中，内壁会生长一薄层的二氧化硅。当用氢氟酸清洗后，不会对产生破坏性。由于碳化硅价格昂贵和重量问题而发展缓慢。 5.4.2 温度控制系统 它把紧靠反应管的热电偶连接到比例控制器上，比例控制器把能量加到加热炉丝上。比例控制器按照炉管与设定值的差值按比例开关通向炉丝的电流以保持炉体的温度均匀。温度越接近设定值，供给炉丝的能量就越少。此系统能够使炉管在没有超调的状态下，快速恢复到冷系统。偏差调整一直在进行，直到达到温度设定值。 超调现象是由于控制温度时，给线圈施加了太多的能量，以至于温度超过设定值的一种现象。 在高级系统里，热电偶紧靠炉管外壁。它通过微处理器给控制器提供信息，这种系统叫做自动温度分布曲线控制系统。好的系统要求炉管内的温度曲线可以定时检测，并且由独立的记录仪记录温度。 对于大直径的晶圆，我们关心的是晶圆的翘曲问题。快速的加热和冷却使得晶圆容易发生翘曲现象。在超