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* 二极管与晶闸管 第 四 章 4.1 PN结及其单向导电性 4.1.1 半导体基础知识 导 体: 自然界中很容易导电的物质.例如金属。 绝缘体：电阻率很高的物质，几乎不导电;如橡皮、陶瓷、塑料和石英等。 半导体：导电特性处于导体和绝缘体之间的物质， 例如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等 半导体的特点 当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。 往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力明显改变。 1. 本征半导体 Ge Si 本征半导体的导电机理 纯净的半导体。如：硅和锗 1）最外层四个价电子。 2）共价键结构 +4 +4 +4 +4 共价键共用电子对 +4表示除去价电子后的原子 共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。 形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构。 共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体。 +4 +4 +4 +4 3）在绝对0度和没有外界激发时,价电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子（即载流子），它的导电能力为0，相当于绝缘体。 +4 +4 +4 +4 4）在热或光激发下，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。 +4 +4 +4 +4 空穴 束缚电子 自由电子 在其它力的作用下，空穴吸引临近的电子来填补，这样的结果相当于空穴的迁移，而空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此可以认为空穴是载流子。 +4 +4 +4 +4 5）自由电子和空穴的运动形成电流 可见因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。 本征半导体的导电机理 本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即自由电子和空穴。 温度越高?载流子的浓度越高?本征半导体的导电能力越强。 本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。 归纳 ? ? ? 2. 杂质半导体 杂质半导体使某种载流子浓度大大增加。 在本征半导体中掺入某些微量杂质。 1）N型半导体 在硅或锗晶体（四价）中掺入少量的五价元素磷，使自由电子浓度大大增加。 +4 +4 +5 +4 N型半导体 多余电子 磷原子 多数载流子（多子）：电子。取决于掺杂浓度； 少数载流子（少子）：空穴。取决于温度。 2）P型半导体 在硅或锗晶体（四价）中掺入少量的三价元素硼，使空穴浓度大大增加。 多数载流子（多子）：空穴。取决于掺杂浓度； 少数载流子（少子）：电子。取决于温度。 +4 +4 +3 +4 空穴 硼原子 归纳 3、杂质半导体中起导电作用的主要是多子。 4、N型半导体中电子是多子，空穴是少子； P型半导体中空穴是多子，电子是少子。 1、杂质半导体中两种载流子浓度不同，分为多数载流子和少数载流子（简称多子、少子）。 2、杂质半导体中多数载流子的数量取决于掺杂浓度，少数载流子的数量取决于温度。 ◆ ◆ ◆ ◆ 杂质半导体的示意表示法 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － P型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + N型半导体 5.1.2 PN 结的形成 在同一片半导体基片上，分别制造P型半导体和N型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了PN结。 因浓度差 ? 多子的扩散运动?由杂质离子形成空间电荷区 ? 空间电荷区形成内电场 ? 内电场促使少子漂移 ? 内电场阻止多子扩散 P型半导体 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － N型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 扩散运动 内电场E 漂移运动 空间电荷区 PN结处载流子的运动 扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽。 漂移运动 P型半导体 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － N型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 扩散运动 内电场E PN结处载流子的运动 内电场越强，就使漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。 漂移运动 P型半导体 － － － － － － － － － － － － －