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* 在N型基片的表面形成一层薄薄的P型层，P型层上做一小的电极，N型底面为另一电极。光投向P区时，在近表面层内激发出电子-空穴对.其中电子将扩散到PN结区并被结电场拉到N区；同时空穴进入P区。 2）光生伏特效应 PN结光伏器件的结构图 为了使P型层内产生的电子能全部被拉到N区，P层的厚度应小于电子的扩散长度。这样，光子也可能穿透P区到达N区，在那里激发出电子-空穴对;这些光生载流子被结电场分离后，空穴流入P区，电子流入N区，在结区两边产生势垒。这就是光生伏特效应。 注:并非所产生的所有光生载流子都可以产生光伏效应。如P区电子在其寿命内的扩散长度要大于PN结宽度,方可产生光伏效应 * 即爱因斯坦光电效应方程或光电发射第一定律。它表明：电子的动能随入射光子频率的增加而增加,而与入射光的强度无关。 3.光电发射效应（外光电效应） 在光子的作用下，物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象称为外光电效应，也叫光电子发射效应。向外发射的电子叫光电子。 电子吸收入射光子的能量，当吸取的能量大于逸出功A0时，电子就逸出物体表面，产生光电子发射。光子能量超过逸出功A0的部分表现为逸出电子的动能。根据能量守恒定理 电子逸出表面必须获得的最小能量，即为逸出功A0 1）光电发射定律 对于一束光的照射,有光电发射第二定律: Ip=Sg Φ 理解光子-电子-光电子的关系 * 2）物质的逸出功和红限频率 所以电子欲逸出金属表面必须克服原子核的静电引 力和偶电层的势垒作用力。 从爱因斯坦光电方程知:当光电子的速度等于零时 由此可见:能否产生光电子，取决于光子的能量是否大于电子逸出功A0 。说明每个物体都有一个对应的光频阈值，称为红限频率或长波限。 光电发射过程的3个步骤? 金属中的自由电子，在常温下虽然有部分克服了原子核的库仑引力而能逸出表面，但是由于逸出表面的电子对金属的感应作用，使金属中的电荷重新分布，在表面下出现与电子等量的正电荷。 逸出电子受到这种正电荷的静电作用，动能减小，以致不能远离金属，只能出现在靠近金属表面的地方，于是在金属表面上下形成偶电层。注意什么是偶电层? 吸收光后体内电子被激发; 体内被激发电子向表面运动,因碰撞损失部分能量; 电子克服表面势垒逃出金属表面. 快速思考:画出偶电层示意图? * Ec Ev 真空能级? 3）半导体材料的阈值波长 对于半导体，能够有效吸收光子的电子大多是处在 价带顶附近，所以光电子发射的逸出功为 式中，Eg 是半导体禁带宽度, EA 称为电子亲和势? 因此，半导体材料光电发射的能量阈值为:Eth=Eg+EA 所以长波限为: 可见,对于可见光区(0.4~0.7 μm)的光子其能量为3.1~1.8eV,波长大于0.7 μm的红外光的光子能量更小.因此用于红外光电子发射的半导体材料其能量阈值一定小于1.8eV. * §1.4 光电探测器的噪声和特性参数 热电探测器 热电偶和热电堆 热电辐射计和热敏电阻 热释电探测器 高莱管 光辐射探测器 光电探测器 热电探测器 光电探测器 固体光电器件 真空光电器件 光辐射探测器是一种由入射光辐射引起可度量物 理效应的器件,种类较多.按工作原理和结构分为: * 固体光电器件 光敏电阻 光电池 光电二极管 光电三极管 特殊光电二极管 光纤传感器 位置传感器 电荷耦合器件 自扫描光电二极管列阵 真空光电器件 光电管 光电倍增管 真空摄像管 变像管 像增强器 * 噪声电流的均方值 代表了单位电阻上所产生的功率，它是确定的可测得的正值? 1.4.1.光电探测器中的噪声 从示波器看到，在一定波长的光照下光电探测器输出的光电信号并不是平直的，而是在平均值上下随机的起伏。 图中的直流信号值 这种随机的、瞬间幅度不能预知的起伏，称为噪声。 一般用均方噪声电流来表示噪声值的大小： * 把噪声这个随机时间函数进行频谱分析，就得到噪声功率随频 率变化关系，即噪声功率谱S(f)。S(f)数值定义为频率f的噪声在1 电阻上所产生的功率，即S(f)= 。 功率谱大小与频率无关的称白噪声； 功率谱与f 近似成反比的称为1/f 噪声 根据功率谱与频率的关系，常见噪声分为两种： (1) 光子噪声 包括：信号辐射产生的噪声和背景辐射产生的噪声。 (2)探测器噪声 包括：热噪声、散粒噪声、产生-复合噪声、1／f噪声和温度噪声。 (3)信号放大及处理电路噪声 一般光电检测系统的噪声包括： * 载流子热运动速度取决于温度，在温度