热蒸发与溅射镀膜 北京大学微纳加工实验室.pptVIP

微纳米加工及应用镀膜技术－物理气相沉积（蒸发，溅射） 《微纳米加工及应用》课程安排 薄膜的应用 半导体器件 电路连接 电极 光探测器件 半导体激光器 光学镀膜 PVD--物理气相沉积 所生长的材料以物理方式由固体转化为气体； 生长材料的蒸汽经过一个低压区域到达衬底； 蒸汽在衬底表明上凝结，形成薄膜。 PVD的一般特性 “物理吸附”: 约束能 0.434 eV/atom (10 cal/mol) 比外延生长速率快很多 衬底与薄膜材料不一定要有联系 厚度范围: 典型薄膜：~nm ─ ~103 nm 也可以生长更厚的膜 薄膜分类 超薄膜: ~10 nm 薄膜: 50 nm─1 mm 中间范围: 1 mm ─ ~10 mm 厚膜: ~10 mm ─ ~100 mm 单晶薄膜 多晶薄膜 无序薄膜 薄膜中涉及的研究课题 生长机制和技术 薄膜成分 缺陷与位错 表面形态 薄膜中的扩散现象 界面的性质 应力引起的应变 物理性质（电学、光学、机械等） 两种常见的薄膜结构 单层膜 周期结构多层膜 PVD物理原理 PVD所需实验条件 高真空 (HV) 高纯材料 清洁和光滑的衬底表面 提供能量的能源 平均自由程?、压强P和真空室尺寸L的关系 残留气体对薄膜生长的影响 薄膜表面原子扩散机制 外延生长概念 表面应力效应 生长模式 Ripening（成熟） Coalescence（粘连） 临界厚度 热蒸发镀膜技术 热蒸发系统示意图 常用热蒸发源 电子束（热）蒸发 用高能聚焦的电子束熔解并蒸发材料 材料置于冷却的坩埚内 只有小块区域被电子束轰击 - 坩埚内部形成一个虚的“坩埚” - “skulling” 不与坩埚材料交叉污染，清洁。 电子束蒸发系统示意图 常用蒸发材料形态 磁控溅射系统示意图 DC ( 导电材料 ) RF ( 绝缘介质材料 ) 反应 (氧化物、氮化物) 或不反应 ( 金属 ) 附加磁场的优点 限制溅射离子的轨道 增加离子在气体中停留的时间 增强等离子体和电离过程 减少从靶材到衬底路程中的碰撞 高磁场附近的产值比较高 磁控溅射中的重要参数 溅射电流 ( 生长速率 ) 压强 ( 溅射粒子的最高能量 ) 压强与靶材-衬底之间的距离 (多孔性、质地、晶体性） 反应气体混合比 ( 化学配比 ) 衬底温度 ( 晶体性、密度和均匀性 ) 衬底偏压 ( 薄膜结构和化学配比 ) 溅射靶材 溅射过程的物理模型 溅射产值 靶材材料的结构和成分 入射离子束的参数 实验环境的几何分布 择优溅射 靶材中的不同成分的溅射产值不一样 不同成分的出射速度不一样 薄膜的化学配比与靶材会有差别 溅射离子的运动学过程 非平衡过程 各向异性过程 cosmq 分布 不均匀厚度 根据物质的蒸发特性，物质的蒸发模式又被分为二种模式∶ 一是物质在固态情况下，即使是温度达到其熔点时，其平衡蒸汽压也低于10-1Pa。在这种情况下，要想利用蒸发方法进行物理汽相沉积，就需要将温度提高到其熔点以上。大多数金属的蒸发属于这种情况。 二是如Cr、Ti、Mo、Fe、Si等，在熔点附近的温度下，固相的平衡蒸汽压已经相对较高。这时可以直接利用由固态物质的升华，实现物质的汽相沉积。 坩埚与材料 衬底 真空室 真空泵 厚度监控仪 充气管道 反应气体管道 Plume 电子枪 电阻加热方法的局限性∶坩埚或其它加热体以及支撑部件可能的污染，电阻加热法的加热功率或温度也受到一定的限制。因此不适用于高纯或难容物质的蒸发。而电子束蒸发正好克服了电阻加热方法的上述不足，因而成为蒸发法高速沉积高纯物质薄膜的主要的加热手段。 在电子束加热装置中，被加热的物质被放置在水冷的坩埚中，电子束只轰击到其中很小的一部分，而其余的大部分在坩埚的冷却作用下仍处于很低的温度，即它实际上成了蒸发物质的坩埚材料。因此电子束蒸发可以做到避免坩埚材料的污染。在同一蒸发沉积装置中可以安置多个坩埚，这使得可以同时或分别对多种不同材料进行蒸发。 如图，由加热的灯丝发射出的电子束受到数千伏的偏置电场的加速，并经过横向部置的磁场线圈偏转270度后到达被轰击的坩埚处，这样的部置可以避免灯丝材料对于沉积过程可能造成的污染。 电子束蒸发的缺点是电子束能量的绝大部分被坩埚的水冷系统带走，因而热效率低。 E-Gun Crucible Substrate fixture 另外一种常用薄膜物理汽相沉积方法，它利用带有电荷的离子在电场中加速后具有一定动能的特点，将离子引向欲被溅射的靶电极。在离子能量合适的情况下，入射的离子将在与靶表面的原子的碰撞过程中使后者溅射出来。这些被溅射出来的原子将带有一定的动能，并且会沿着一定的方向飞向衬底，从而实现在衬底上的薄膜沉积。 在这个过程中，离子