大规模集成电路第1章_概__论.ppt

电子与信息工程系 倪德克 第一章 概 论 1.1 集成电路的发展历程 1.2 专用集成电路设计要求 1.3 集成电路的分类 1.4 集成电路设计方法 集成电路是指通过一系列工艺，在单片半导体材料上（硅或者砷化镓）加工出许多元器件(有源和无源的)，这些元器件按照一定要求连接起来，作为一个不可分割的整体执行某一特定的功能； 集成电路是电路的单芯片实现； 微电子工业是国民经济信息化的基石 集成电路是微电子技术的核心； 如果以单位质量的“钢”对国民生产总值的贡献为1来计算，则小轿车为5，彩电为30，计算机为1000，而集成电路则高达2000。 1.1 集成电路的发展历程 1.1.1 半导体集成电路的出现与发展 半导体集成电路的出现和发展经历了以下过程： 1） 1947～1948年，晶体管的发明 1946年1月，Bell实验室正式成立半导体研究小组：W.Schokley，J. Bardeen、W. H. Brattain Bardeen提出了表面态理论， Schokley给出了实现放大器的基本设想，Brattain设计了实验； 1947年12月23日，第一次观测到了具有放大作用的晶体管； 晶体管的发明 1.1 集成电路的发展历程 1.1.1 半导体集成电路的出现与发展 半导体集成电路的出现和发展经历了以下过程： 1） 1947～1948年，晶体管的发明 2）1958年，集成电路的发明 1952年5月，英国科学家G. W. A. Dummer第一次提出了集成电路的设想。 1958年以德克萨斯仪器公司（TI）的科学家基尔比(Clair Kilby)为首的研究小组研制出了世界上第一块集成电路，并于1959年公布了该结果。 集成电路的发明 1.1 集成电路的发展历程 1.1.1 半导体集成电路的出现与发展 半导体集成电路的出现和发展经历了以下过程： 1） 1947～1948年，晶体管的发明 2） 1958年，集成电路的发明 3） 1959年，平面工艺的发明 1.1 集成电路的发展历程 1.1.1 半导体集成电路的出现与发展 半导体集成电路的出现和发展经历了以下过程： 1） 1947～1948年，晶体管的发明 2） 1958年，集成电路的发明 3） 1959年，平面工艺的发明 4） 1960年，成功制造了第一块MOS集成电路。 1.1.2 集成电路发展的特点 金属布线层数 器件及互连线延迟 不断提高产品的性能价格比是微电子技术发展的动力 2. 摩尔定律 --- Min. transistor feature size decreases by 0.7X every three years --- True for at least 30 years! (Intel公司前董事长Gordon Moore首次于1965提出) 后人对摩尔定律加以扩展： 即集成电路的发展： 工艺每三年升级一代；代的定义为4倍能力，2年/代至3年/代 集成度每三年翻二番； 特征线宽约缩小30％左右； 逻辑电路（以CPU为代表）的工作频率提高约30％ 摩尔定律－Intel公司CPU发展 摩尔定律 摩尔定律－平均每个晶体管价格 摩尔定律 经过40年，集成电路产业的发展证实了摩尔定律的正确性，但是摩尔定律还能有多长时间的生命力？ 集成电路的特征尺寸： 130nm→90nm→60nm→45nm→30nm→?量子效应 集成电路光刻费用急剧增加 等比例缩小(Scaling-down)定律 1974年由Dennard提出 基本指导思想是：保持MOS器件内部电场不变：恒定电场规律，简称CE律 等比例缩小器件的纵向、横向尺寸，以增加跨导和减少负载电容，提高集成电路的性能 电源电压也要缩小相同的倍数 漏源电流方程： 由于VDS、(VGS-VTH)、W、L、tox均缩小了?倍，Cox增大了?倍，因此，IDS缩小?倍。门延迟时间tpd为： 其中VDS、IDS、CL均缩小了?倍，所以tpd也缩小了?倍。标志集成电路性能的功耗延迟积PW?tpd则缩小了?3倍。 恒定电场定律的问题 阈值电压不可能缩的太小 源漏耗尽区宽度不可能按比例缩小 电源电压标准的改变会带来很大的不便 恒定电压等比例缩小规律 (简称CV律) 保持电源电压Vds和阈值电压Vth不变，对其它参数进行等比例缩小 按CV律缩小后对电路性能的提高远不如CE律，而且采用CV律会使沟道内的电场大大增强 CV律一般只适用于沟道长度大于1?m的器件，它不适用于沟道长度较短的器件。 准恒定电场等比例缩小规则，缩写为QCE律 CE律和CV律的折中，新世纪采用的最多 随着器件尺寸的进一步缩小，强电场、高功耗以及功耗密度等引起的各种问题限制了按CV律进一步缩小