在二氧化硅衬底上制备磁光ceyig薄膜用于磁光波导型器件.pdfVIP

Vo1．23，No．4 Vo l. 23 , No , 4 第 23 卷第4 期 红外与毫米波学报 第23卷第4期 红外与毫米波学报 August，2004 Au俘1St ， 2α)4 2ω4 年8 月 2004年8月 J. Infrared Millim. Waves J．Infrared Millim．Wayes 文章编号:1 ∞l 呵 9014(2ω4)04 叩 0276 叩 05 文章编号：11301—9014(2004)o4—0276—05 在二氧化硅衬底上制备磁光 Ce: YIG 在二氧化硅衬底上制备磁光Ce：YIG 薄膜用于磁光波导型器件 薄膜用于磁光波导型器件 五 巍1 ， 2 兰中文2 王豪才2 姬海宁2 秦跃利3 高能武3 孔祥栋3 王 巍 ， 兰中文 ， 王豪才 ， 姬海宁 ， 秦跃利 ， 高能武 ， 孔祥栋 (1．重庆邮电学院光电工程系，重庆 400065； (1.重庆邮电学院光电工程系，重庆 40∞65; 2. 电子科技大学微电子与固体电子学院，四川成都 61∞54; 2．电子科技大学微电子与固体电子学院，四川成都 610054； 3. 电子第 29 所，四川成都 61∞36) 3．电子第29所，四川成都 610036) 摘要:对 Ce， YIG 磁光薄膜的制备过程及磁光性能进行了详细的研究.用 RF 磁控溅射法在二氧化硅的基片上淀积 摘要：对Ce．YIG磁光薄膜的制备过程及磁光性能进行了详细的研究．用RF磁控溅射法在二氧化硅的基片上淀积 Ce， YIG 薄膜，再对此薄膜进行品化处理，以得到具有磁光性能的 Ce， YIG 簿膜.本文讨论了品化过程中，Ce， YIG 薄 Ce．YIG薄膜，再对此薄膜进行晶化处理，以得到具有磁光性能的Ce。YIG薄膜．本文讨论了晶化过程中，Ce。YIG薄 膜微观结构的变化对其磁光性能的影响.结果表明:采用波长为 630nm 的可见光测最，薄膜的饱和法拉第旋转系数 膜微观结构的变化对其磁光性能的影响．结果表明：采用波长为630nm的可见光测量，薄膜的饱和法拉第旋转系数 fh 为 0.8deglμm. 同时，品化簿膜易磁化方向为平行子膜üìi 方向，其居Æ 温度点为 220~. 所得Ge， YIG 薄膜的参数 0 为0．8deg／ m．同时，晶化薄膜易磁化方向为平行于膜面方向，其居里温度点为220~C．所得Ge。YIG薄膜的参数 表明:所和l 备的簿膜适宜于制备波导型磁光隔离器. 表明：所制备的薄膜适宜于制备波导型磁光隔离器． 关键词:Ce: YIG 石榴石;磁光性能;磁