微电子封装设计说明.pptVIP

（1）外壳的电性能设计原则（主要针对金属外壳） 对任一集成电路的封装外壳都要求具有一定的电性能，以保证相互匹配而不致对整个集成电路的性能产生失误,其中又以超高频外壳更为突出。 分布电容和电感 当集成电路处在超高频状态下工作时，由于外壳金属体所形成的分布电容和分布电感常会起不必要的反馈和自激，从而使集成电路的功率增益下降、损耗增加，所以在一般情况下，都希望外壳的分布电容与分布电感愈小愈好。 绝缘电阻 集成电路封装外壳的绝缘电阻，通常是两相邻的引线间或任一引线与金属底座间的电阻值。这个数值的大小不仅与引线间的距离和外壳结构有关，也与绝缘体的绝缘性能与环境条件有关。 外壳绝缘电阻的降低将会导致电极问的漏电流增大，使整个集成电路的性能下降或变坏，这对MOS集成电路则更为突出。 绝缘电阻可分为体积电阻和表面电阻．前者的性能好坏决定于本身内在的物质结构．而后者则与所处环境条件及材料表面状态有关，特别是水分、潮气对材料表面电阻影响甚大。因此在进行封装外壳设计时，要注意结构安排的合理性，并考虑到材料加工后的表面状态，应尽量选用一些表面抗电强度和绝缘电阻高的材料。 光电外壳 在实际应用中具有光电转换性能的集成电路已经为数不少，数字电路中的可改写只读存储器(EPROM)则是其中最好的一个