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电子CAD技术（OrCAD/PSpiceA/D） FET基本放大电路 JFET与BJT的比较 JFET 固定偏置电路（共源） 静态点的估算 查看JFET参数 Bias Point 分析静态点 图解法分析（转移特性曲线） 如何设置仿真参数？ 转移特性曲线 采用自给偏置的放大电路 用Bias Point 分析其静态点 Bias Point 分析结果 图解法 用图解法时，要在G极加上DC电压源。 仿真参数设置 DC SWEEP，变量为Vgg，初值为-5V，终值为0，步长为0.01 图解法 转移特性曲线 负载特性曲线 图解法分析 Rs对Q点的影响 分压式偏置放大电路 Bias Point分析Q点 图解法分析Q点 Bias Point 分析 图解法 加偏置电压Vss 仿真设置 DC SWEEP，VSS，范围0~4V，步长0.01V MOSFET放大器 本例中采用IRF150型MOSFET。其库文件为PWRMOS N沟道增强型MOSFET反馈偏置放大器 Bias Point 分析 图解法 分析一下Rd对Q点的影响？（图见上页） 分析一下Vdd对Q点的影响？ Vdd对Q点的影响？ 习题 1 求此时静态点的Id, Vds 习题 2 求Vgs, Id, Vds, Vs * * BJT Beta Vp VG=-2V Vp/2 两曲线交点即为Q点 （见下页） * * *